B transistor
Listado b transistor
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Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín
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5v, ic=0, f=1mhz 9 pf nf noise figure: bc: bc: bc549: bc550 vce=5v, ic=200µa f=1khz, rg=2k¿ vce=5v, ic=200µa rg=2k¿, f=mhz db db db db classification a b c hfenpn epitaxial silicon transistor absolute maximum ratings ta=25°c unless otherwise noted electrical characteristics ta=25°c unless otherwise noted hfe classification symbol parameter value units vcbo collector-base voltage: bc546: bc: bc v v v vceo collector-emitter voltage: bc546: bc: bc v v v vebo emitter-base voltage: bc: bc v v ic collector current (dc) 100 ma pc collector power dissipation 500 mw tj junction temperature 150 °c tstg storage temperature - °c symbol parameter test condition minunits icbo collector cut-off current vcb=30v, ie=0 15 na hfe dc current gain vce=5v, ic=2ma vce (sat) collector-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (on) base-emitter on voltage vce=5v, ic=2ma vce=5v, ic=10ma mv mv ft current gain bandwidth product vce=5v, ic=10ma, f=100mhz 300 mhz cob output capacitance vcb=10v, ie=0, f=1mhz 35ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (sat) base-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05 6 pf cib input capacitance veb=0
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Hacemos factura a y btransistor mosfet irf540n 100v - 33a descripcion mosfet de potencia canal n de international rectifier, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperación inversa dentro de su estructurabaja resistencia térmicaresistencia drain-source (rds on): 44 m¿capaz de funcionar a altas frecuencias de conmutación y utilizado en una gran variedad de aplicacioneslas compras se retiran por villa luro de lunes a viernes de 11 a 17caracteristicas: voltaje drain-source (vdss): 100 v corriente de drain (id): 33 a encapsulado: to-220
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transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de silicioestá diseñado para funcionar en 12,5 v uhf y tiene grandes aplicaciones como amplificador de señal de hasta 512 mhz= 4,4 db a 60 w / frec 470 mhz-; (3) sistema de metalización omnigold
$ 700
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Argentina
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Manual "the transistor and diode data book for design engineers"excelente y muy completo manual "the transistor and diode data book for design engineers"the engineering staff of texas instrumenhtsimpreso en limoges, franciacomponents groupestado: muy poco uso, como nuevoeuropean edition de texas instrumentsrealizo envíos a todo el país a cargo del compradorse entrega en el barrio de palermo o de villa santa rita (entre flores y villa del parque) en día y horario a coordinar
Villa Santa Rita (Capital Federal)
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transistor 20n60c3 para fuente de alimentacion ps4 nuevos producto transistor fuente de alimentación ps4 modelo 20n60c3 to-220nuevos! también aplica a artefactos que no sean ps4 envíos a todo el país se puede retirar personalmente por la zona de san andres partido de gral san martín consulte los dias para retirar en domicilio somos mercadolider uno de los mejores del sitio! realiza tu consulta
Argentina
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Manual "the transistor and diode data book for design engineers"european edition de texas instrumentscomponents group
San Cristóbal-Capital Federa (Capital Federal)
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Amplificador lineal entrada 2 w salida 25 w falta transistor consulte stock antes de ofertar adicciones pesos 100 por embalaje y servimoto su pregunta es bienvenida
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transistor 2n las 25 unidades 300 pesosse pueden hacer envios, a cargo y costo del compradortambien tengo 2n y2n
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transistor de potencia uhf de la línea mitsubishi - japan (nuevos)
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transistor de potencia de la línea toshiba, japonesa
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Irf540n transistor mosfet n 30a 100v ohm to-220 original
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transistor mitsubishi 2sc caracteristicas: vcbo: 35 v po a 175 mhz 125v: 50 w ic: 14 a ganancia a 175 mhz: mayor o igual a 7 db 175 mhz
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Pack de 5 transistores to92 pnp 2n el 2n es un transistor pnp de alta tensión de mediana potencia6 a tensión colector-emisor: -150 v hfe 70 mínimo encapsulado t092características: corriente de colector: -0
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2sc transistor (nuevo) los que estén interesados escribirme en forma directa a - gracias
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Radio hitachi transistor 8 modelo wh-859d, hecha en japón en la década del 50, este modelo cuenta con tres bandas de frecuencias, sintonia fina, salida para auricular cuenta con antena y funciona con 3 pilas grandes, se encuentra en buen estado
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transistor de potencia para hf hasta 30 mhz80w made in usa
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Radio spica transistor six nivico audio vintage retro
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transistor de potencia uhf de la línea mitsubishi - japan (nuevos) consultas a
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