Npn
Listado npn
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Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturaci贸n (m谩x) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia m谩xima: 150 w frecuencia - transici贸n: 30 mhz temperatura de operaci贸n: -50 掳c ~ 150 掳c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (m谩x) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia m谩xima: 150 w frecuencia - transici贸n: 30 mhz temperatura de operaci贸n: -50 掳c ~ 150 掳c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturaci贸n (m谩x): 5 碌a (icbo) ganancia de cc (hfe) (m铆n
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2n original japones marca toshiba - no se quema como loa truchos 15 amperes 60 voltios npn - to3
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Conexi贸n: npn 400ma m谩x (normal abierto)se us贸 una sola vez para una pruebasensado: 2 a 20mm (ajustable) cabezal: superficiesensor marca rhomberg modelo rcs tipo: capacitivo di谩metro: 30mm alimentaci贸n: vdc (2mtsest谩 guardado hace tiempo
$ 500
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npn epitaxial silicon transistor absolute maximum ratings ta=25掳c unless otherwise noted electrical characteristics ta=25掳c unless otherwise noted hfe classification symbol parameter value units vcbo collector-base voltage: bc546: bc: bc v v v vceo collector-emitter voltage: bc546: bc: bc v v v vebo emitter-base voltage: bc: bc v v ic collector current (dc) 100 ma pc collector power dissipation 500 mw tj junction temperature 150 掳c tstg storage temperature - 掳c symbol parameter test condition min5 6 pf cib input capacitance veb=05ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (on) base-emitter on voltage vce=5v, ic=2ma vce=5v, ic=10ma mv mv ft current gain bandwidth product vce=5v, ic=10ma, f=100mhz 300 mhz cob output capacitance vcb=10v, ie=0, f=1mhz 35ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (sat) base-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05v, ic=0, f=1mhz 9 pf nf noise figure: bc: bc: bc549: bc550 vce=5v, ic=200碌a f=1khz, rg=2k驴 vce=5v, ic=200碌a rg=2k驴, f=mhz db db db db classification a b c hfeunits icbo collector cut-off current vcb=30v, ie=0 15 na hfe dc current gain vce=5v, ic=2ma vce (sat) collector-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=0
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Especificaciones t茅cnicas: property project specific parameter output npn controller dual relay controller intallation inside electrical distribution box type through beam response <20ms cable 2m power supply dc 24v el precio incluye imodelos disponibles: (el precio publicado es por el modelo sna0820n, consulte por cotizaciones de otros modelos) sna2020n barrera de seguridad, through beam,, 20 haces, separaci贸n:20mm, alcance:2m, salida dc24v npn, con rel茅 controlador, cables, conectores y accesorios de montajesna0820n barrera de seguridad, through beam,, 8 haces, separaci贸n:20mm, alcance:2m, salida dc24v npn, protecci贸n:140mm, con rel茅 controlador, cables, conectores y accesorios de montajehacemos factura a y bbarrera de seguridad sna 0820n marca ibest through beam,, 8 haces, separaci贸n:20mm, alcance:2m, salida dc24v npn, protecci贸n:140mm, con rel茅 controlador, cables, conectores y accesorios de montaje incluidosrecuerde que su compra es un compromiso, haga las preguntas necesarias antes de ofertarsna1680n barrera de seguridad, through beam,, 16 haces, separaci贸n:80mm, alcance:2m, salida dc24v npn, con rel茅 controlador, cables, conectores y accesorios de montajesna2080n barrera de seguridad, through beam,, 20 haces, separaci贸n:80mm, alcance:2m, salida dc24v npn, protecci贸n:1520mm, con rel茅 controlador, cables, conectores y accesorios de montajeconsulte por descuentos a distribuidores mayoristasenvios a todo el pa铆sno oferte varias veces la misma publicaci贸ndistribuidora d铆namomuchas gracias por elegirnos
Ciudad de Buenos Aires (Capital Federal)
$ 1
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Automatic detection of npn and pnp transistors, n -channel and p-channel mosfet, diodes (including dual diode), thyristors, transistors, resistors and capacitors and other components, 301mh-20h new function: 1:automatic detection of npn and pnp transistors, n-channel and p-channel mosfet, diode (including double diode), thyristor, transistor, resistor and capacitor and other components 2: automatic test the pin of a component, and display on the lcd 3:can detect the transistor, mosfet protection diode amplification coefficient and the base to determine the emitter transistor forward biased voltage 4: measure the gate and gate capacitance of the mosfet threshold voltage 5:use liquid crystal display with green backlight specifications: for you reference 1led is detected as a diode forward voltage higher1 ohms, 50m ohms can be measuredcan be in the correct order and the diode symbol display two diodes, and gives the diode forward voltagethe two can be displayed with a decimal value, resolution 0combo of the led is identified as two diodesmeasuring bipolar transistor current amplification factor and base - emitter threshold voltageone button operation, power-on test, get a key9v battery powering stackedif prolonged power, you can use two 8power consumption off mode: less than 20 na of 10can detect bipolar transistors and mos transistors protection diodesautomatically detect npn, pnp bipolar transistors, n -channel and p -channel mos fet, jfet, diodes, two diodes, thyristors small power unidirectional and bidirectional thyristor1 ohm resolution, maximum 50m ohm capacitor:25pf - uf inductors: 0auto power off function to avoid unnecessary waste, saving battery power, improved battery life2uf more capacitors can simultaneously measure the equivalent series resistance esr values5v zener diode can be identifiedmeasure the gate threshold voltage and gate capacitance of the mosfet lcd display uses lcd ( lcd with backlight) 7can simultaneously measure two resistors and resistor symbol is displayedmeasuring the gate mos fet threshold voltage and the gate capacitanceif the potentiometer wiper is not transferred to an extreme position, we can distinguish the middle and both ends of the pinif the bipolar transistor connected to the base and collector or emitter of a pin, it can measure the collector or emitter junction reverse capacitancedisplayed on the right with a decimal value of 4one -button operation, automatic shutdowntest ranges: inductors, capacitors, diodes, dual diode, mos, transistor, scr, the regulator, led tube, esr, resistance,adjustable potentiometer resistance:0can be detected to determine the transistor emitter forward bias voltage of the transistor, mosfet protection diode and the amplification factor of the base 5notice: before measuring capacitance, the capacitor must be discharged, otherwise very likely damage the metercan measure capacitancecan measure capacitance of 30pf-100mf, resolution 1pfeeverse breakdown voltage is less than 4automatic test out the pin element and displayed on the lcd 4so you can measure the potentiometer17 can be obtained with a single measurement rectifier bridge connectionresistance measurement resolution is 04v lithium battery pack consisting ofhigh test speed, valid component test: 2 seconds (except in the larger capacitor of large capacitance measurement also takes a long time, the measured time of one minute is normal) 8automatic identification components pin arrangementadd boot voltage detection function 2lcr-t3 graphical multi-function tester resistor capacitor + + + scr + diode + transistor + mos tube inductance lcd lcd display, with backlight, backlight color is generally yellow-greencan measure a single diode reverse capacitanceonly 20na shutdown currentresistance symbol on both sides shows the pin numbervia the base - emitter threshold voltage and high current amplification factor to identify darlington transistors
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Aviso: antes de medir la capacitancia, el condensador debe ser descargado, por lo dem谩s muy probable da帽ar el medidor m谩s detalles: 1,8 pulgadas de pantalla lcd tft dimensiones: 70 mm * 135 mm * 24 mm potencia: dc9v (bater铆a de 9v 6f22) peso: kg (sin bater铆a) el paquete incluye: 1pcs transistor tft probador de diodos tr铆odo metro de la capacitancia lcr esr npn pnp mosfet 1pcs clip de pruebaespecificaciones: 1, deteccion inteligente del componente conectado 2, minimo consumo 20na16, puede medir una sola capacitancia del diodo inversopara que pueda medir el potenci贸metrosi el del potenci贸metro no se transfiere a una posici贸n extrema, podemos distinguir el centro y ambos extremos del pasador5, de medici贸n bipolar transistor actual factor de amplificaci贸n y la base - emisor de tensi贸n de umbrals铆mbolo de la resistencia en ambos lados muestra el n煤mero de pin6, via la base - tensi贸n de umbral emisor y alto factor de amplificaci贸n de corriente para identificar los transistores darlington11, se puede medir el capacitancecan medida capacitancia de 30pf-100mf, resoluci贸n de 1 pf7, se puede detectar transistores bipolares y transistores mos diodos de protecci贸n3, detecta transistores npn, transistores bipolares pnp, n -channel y p -channel mos fet, jfet, diodos, dos diodos, tiristores unidireccional y bidireccional13, puede estar en el orden correcto y los diodos representaci贸n de los s铆mbolos dos diodos, y da el diodo de tensi贸n directaled se detecta como un diodo de tensi贸n directa superiorque se muestra a la derecha con un valor decimal de 42uf m谩s condensadores pueden medir simult谩neamente los valores de esr resistencia en serie equivalentelos dos se pueden visualizar con un valor decimal, resoluci贸n de 0,01 ohmios18 se pueden obtener con una 煤nica conexi贸n de puente rectificador de medici贸nsi el transistor bipolar conectado a la base y el colector o emisor de un pasador, se puede medir el colector o emisor capacidad de la uni贸n inversa4, la disposici贸n de pines componentes de identificaci贸n es autom谩tica8, medici贸n de la puerta mos fet tensi贸n umbral y la capacitancia de la puerta10, la resoluci贸n de medici贸n de la resistencia es de 0,1 ohmios, ohmios 50m se pueden medircombo del led se identifica como dos diodos15, la tensi贸n de ruptura eeverse es menor que 4,5 v diodo zener puede ser identificado9, puede medir simult谩neamente dos resistencias y se muestra s铆mbolo resistor
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Transistor de potencia para hf hasta 30 mhzcom/specs/300to399/pdf/nte335_680w made in usa(nuevos) http://www
$ 1000
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5 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de silicio= 4,4 db a 60 w / frec 470 mhz-; (3) sistema de metalizaci贸n omnigoldest谩 dise帽ado para funcionar en 12,5 v uhf y tiene grandes aplicaciones como amplificador de se帽al de hasta 512 mhztransistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 12
$ 700
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) a ic, vce 150 a 270 ma, 2 v potencia m谩xima 2 w frecuencia - transici贸n 230 mhz temperatura de operaci贸n 150掳c (tj) 2scsd tipo de transistor npn corriente de colector (ic) m谩x10 a voltaje de interrupci贸n - colector-emisor (m谩x) 50 v vce de saturaci贸n (m谩x) a ib, ic 360 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (m谩x) a ic, vce 200 a 270 ma, 2 v potencia m谩xima 25 w frecuencia - transici贸n 330 mhz temperatura de operaci贸n 150掳c (tj)) 10 碌a (icbo) ganancia de cc (hfe) (m铆non semi usa 2sasd tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) m谩x) a ib, ic 500 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (m谩x
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Encontr谩 m谩s productos de electr贸nica, audio y video, componentes electr贸nicos, transistor en mercado libre
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5 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia detransistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 12
Argentina
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*** high tec electronica kit transistor de potencia 2scsa toshiba japan para t茅cnico electr贸nica
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Repuesto nuevo marca: npn node parte:md177113 hecho en japon estos aros aplican a mitsubishi lancer m 16 modelo viejo seriedad y responsabilidad haga sus preguntas, con gusto le atenderemos
Parque Patricios (Capital Federal)
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Precio a convenirpreparaci贸n de presupuesto asesoramientomotores, autom谩tico de bomba, cableados, reparaci贸n de fallas - iluminaci贸n en gral - correcci贸n de factor de potenciatensi贸n (220-380/dc-ac) y tesion de maniobras, puesta a tierra, armado de tableros, colocaci贸n de bandejas, sensores fotos electricos (pnp - npn), inductivos (rasante y no rasante) y magn茅ticos - mantenimiento de m谩qtrabajoselectricos/
Mor贸n (Buenos Aires)
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Vendo circuito integrado sta434a, npn y pnp darlington, de sanken, nuevo, se usa en minilabs marca agfa, kodak, fujio para electr贸nica en generalcel/whatsapp: 2616978995
Guaymallen (Mendoza)
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Buy69a to3 power transistor 10a 400v 100w silicon npn el precio es por unidad son nuevos de un antiguo stock son los de la foto consultar hago envios a todo el pais efvo el precio es el publicado gracias
Gualeguaych煤 (Entre R铆os)
$ 298
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Fuente totalmente robusta con dos transformadores blindados en gabinete totalmente aluminio , con 6 transistores darlington tip 561 description = si npn power bjt current = 75 uso military , para una corriente de 45 amperes , filtrado con capacitores siemens alto desempe帽o , regulada en negativo por lo cual los colectores de los transistores son parte del gabinete de aluminio , protegida por sobretension y temperatura , cooler refrigerador de uso continuo , display digital alta velocidad de muestreo de tension real de salida , observe las fotos del interior
Viedma (R铆o Negro)
$ 20000
