Transistor mitsubishi 2sc caracteristicas
Listado transistor mitsubishi 2sc caracteristicas
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transistor mitsubishi 2sc caracteristicas: vcbo: 35 v po a 175 mhz 125v: 50 w ic: 14 a ganancia a 175 mhz: mayor o igual a 7 db 175 mhz
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Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264
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2sc transistor (nuevo) los que estén interesados escribirme en forma directa a - gracias
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Pack de 5 transistores to92 pnp 2n el 2n es un transistor pnp de alta tensión de mediana potenciacaracterísticas: corriente de colector: -06 a tensión colector-emisor: -150 v hfe 70 mínimo encapsulado t092
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transistor mosfet irf540n 100v - 33a descripcion mosfet de potencia canal n de international rectifier, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperación inversa dentro de su estructuralas compras se retiran por villa luro de lunes a viernes de 11 a 17hacemos factura a y bbaja resistencia térmicacaracteristicas: voltaje drain-source (vdss): 100 v corriente de drain (id): 33 a encapsulado: to-220resistencia drain-source (rds on): 44 m¿capaz de funcionar a altas frecuencias de conmutación y utilizado en una gran variedad de aplicaciones
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transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de silicio= 4,4 db a 60 w / frec 470 mhz-; (3) sistema de metalización omnigoldestá diseñado para funcionar en 12,5 v uhf y tiene grandes aplicaciones como amplificador de señal de hasta 512 mhz
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Juego balancines valvulas mitsubishi 25d johnson r864 r865 compuesto por 4 piezas admision y 4 piezas escape aplicaciones: mitsubishi montero 1984/2014 equipados con motor 4d56/4d56t/4d56ti mitsubishi shogun 1984/2014 equipados con motor 4d56/4d56t/4d56ti equipados con motor 4d56/4d56t/4d56ti mitsubishi delica 1983/2014 equipados con motor 4d56/4d56t/4d56ti mitsubishi space gear 1995/2000 equipados con motor 4d56/4d56t/4d56ti mitsubishi l200 1986/96 triton equipados con motor 4d56/4d56t/4d56ti mitsubishi l300 1983/2014 equipados con motor 4d56/4d56t/4d56ti mitsubishi l400 1996/2014 equipados con motor 4d56/4d56t/4d56ti mitsubishi strada 1996/2014 equipados con motor 4d56/4d56t/4d56ti mitsubishi g-wagon 1998/2014 equipados con motor 4d56/4d56t/4d56ti mitsubishi canter 1992/96 equipados con motor 4d56/4d56t/4d56ti mitsubishi forte 1982/86 equipados con motor 4d55 equipados con motor 4d56/4d56t/4d56ti reemplazo de parte original: mitsubishi md153990 md153991 mitsubishi md307724 md307724 mitsubishi md352127 md352128 mitsubishi md324966 md324967 equivalencias: ipsa ra000500/1 freccia ra 06-904-5 campro cp47601-2 marca: johnson origen: sudeste asiatico articulo: r 864 / r 865
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