2sc npn

Listado 2sc npn

  • Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturaci贸n (m谩x) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia m谩xima: 150 w frecuencia - transici贸n: 30 mhz temperatura de operaci贸n: -50 掳c ~ 150 掳c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264): 5 碌a (icbo) ganancia de cc (hfe) (m铆n) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (m谩x) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia m谩xima: 150 w frecuencia - transici贸n: 30 mhz temperatura de operaci贸n: -50 掳c ~ 150 掳c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturaci贸n (m谩x

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  • Transistor 2sc toshiba originales coordinamos entrega

  • Transistor mitsubishi 2sc caracteristicas: vcbo: 35 v po a 175 mhz 125v: 50 w ic: 14 a ganancia a 175 mhz: mayor o igual a 7 db 175 mhz

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  • Conexi贸n: npn 400ma m谩x (normal abierto)se us贸 una sola vez para una pruebaest谩 guardado hace tiemposensado: 2 a 20mm (ajustable) cabezal: superficiesensor marca rhomberg modelo rcs tipo: capacitivo di谩metro: 30mm alimentaci贸n: vdc (2mts

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  • npn epitaxial silicon transistor absolute maximum ratings ta=25掳c unless otherwise noted electrical characteristics ta=25掳c unless otherwise noted hfe classification symbol parameter value units vcbo collector-base voltage: bc546: bc: bc v v v vceo collector-emitter voltage: bc546: bc: bc v v v vebo emitter-base voltage: bc: bc v v ic collector current (dc) 100 ma pc collector power dissipation 500 mw tj junction temperature 150 掳c tstg storage temperature - 掳c symbol parameter test condition min5 6 pf cib input capacitance veb=05v, ic=0, f=1mhz 9 pf nf noise figure: bc: bc: bc549: bc550 vce=5v, ic=200碌a f=1khz, rg=2k驴 vce=5v, ic=200碌a rg=2k驴, f=mhz db db db db classification a b c hfe5ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (on) base-emitter on voltage vce=5v, ic=2ma vce=5v, ic=10ma mv mv ft current gain bandwidth product vce=5v, ic=10ma, f=100mhz 300 mhz cob output capacitance vcb=10v, ie=0, f=1mhz 3units icbo collector cut-off current vcb=30v, ie=0 15 na hfe dc current gain vce=5v, ic=2ma vce (sat) collector-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (sat) base-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=0

  • Especificaciones t茅cnicas: property project specific parameter output npn controller dual relay controller intallation inside electrical distribution box type through beam response <20ms cable 2m power supply dc 24v el precio incluye ino oferte varias veces la misma publicaci贸nmuchas gracias por elegirnossna0820n barrera de seguridad, through beam,, 8 haces, separaci贸n:20mm, alcance:2m, salida dc24v npn, protecci贸n:140mm, con rel茅 controlador, cables, conectores y accesorios de montajeconsulte por descuentos a distribuidores mayoristasenvios a todo el pa铆ssna2080n barrera de seguridad, through beam,, 20 haces, separaci贸n:80mm, alcance:2m, salida dc24v npn, protecci贸n:1520mm, con rel茅 controlador, cables, conectores y accesorios de montajerecuerde que su compra es un compromiso, haga las preguntas necesarias antes de ofertardistribuidora d铆namosna1680n barrera de seguridad, through beam,, 16 haces, separaci贸n:80mm, alcance:2m, salida dc24v npn, con rel茅 controlador, cables, conectores y accesorios de montajemodelos disponibles: (el precio publicado es por el modelo sna0820n, consulte por cotizaciones de otros modelos) sna2020n barrera de seguridad, through beam,, 20 haces, separaci贸n:20mm, alcance:2m, salida dc24v npn, con rel茅 controlador, cables, conectores y accesorios de montajebarrera de seguridad sna 0820n marca ibest through beam,, 8 haces, separaci贸n:20mm, alcance:2m, salida dc24v npn, protecci贸n:140mm, con rel茅 controlador, cables, conectores y accesorios de montaje incluidoshacemos factura a y b

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  • Automatic detection of npn and pnp transistors, n -channel and p-channel mosfet, diodes (including dual diode), thyristors, transistors, resistors and capacitors and other components, 301mh-20h new function: 1:automatic detection of npn and pnp transistors, n-channel and p-channel mosfet, diode (including double diode), thyristor, transistor, resistor and capacitor and other components 2: automatic test the pin of a component, and display on the lcd 3:can detect the transistor, mosfet protection diode amplification coefficient and the base to determine the emitter transistor forward biased voltage 4: measure the gate and gate capacitance of the mosfet threshold voltage 5:use liquid crystal display with green backlight specifications: for you reference 1eeverse breakdown voltage is less than 4automatically detect npn, pnp bipolar transistors, n -channel and p -channel mos fet, jfet, diodes, two diodes, thyristors small power unidirectional and bidirectional thyristor2uf more capacitors can simultaneously measure the equivalent series resistance esr valuesif prolonged power, you can use two 8one -button operation, automatic shutdowncombo of the led is identified as two diodeslcr-t3 graphical multi-function tester resistor capacitor + + + scr + diode + transistor + mos tube inductance lcd lcd display, with backlight, backlight color is generally yellow-greenauto power off function to avoid unnecessary waste, saving battery power, improved battery lifemeasure the gate threshold voltage and gate capacitance of the mosfet lcd display uses lcd ( lcd with backlight) 7via the base - emitter threshold voltage and high current amplification factor to identify darlington transistorsone button operation, power-on test, get a keydisplayed on the right with a decimal value of 4can measure capacitancecan measure capacitance of 30pf-100mf, resolution 1pfif the potentiometer wiper is not transferred to an extreme position, we can distinguish the middle and both ends of the pinhigh test speed, valid component test: 2 seconds (except in the larger capacitor of large capacitance measurement also takes a long time, the measured time of one minute is normal) 81 ohm resolution, maximum 50m ohm capacitor:25pf - uf inductors: 0can be in the correct order and the diode symbol display two diodes, and gives the diode forward voltageautomatic identification components pin arrangement1 ohms, 50m ohms can be measuredso you can measure the potentiometerautomatic test out the pin element and displayed on the lcd 4resistance symbol on both sides shows the pin numbercan be detected to determine the transistor emitter forward bias voltage of the transistor, mosfet protection diode and the amplification factor of the base 5add boot voltage detection function 2power consumption off mode: less than 20 na of 10led is detected as a diode forward voltage higherresistance measurement resolution is 0measuring the gate mos fet threshold voltage and the gate capacitancecan measure a single diode reverse capacitance17 can be obtained with a single measurement rectifier bridge connectionif the bipolar transistor connected to the base and collector or emitter of a pin, it can measure the collector or emitter junction reverse capacitancecan detect bipolar transistors and mos transistors protection diodesthe two can be displayed with a decimal value, resolution 0can simultaneously measure two resistors and resistor symbol is displayedmeasuring bipolar transistor current amplification factor and base - emitter threshold voltagenotice: before measuring capacitance, the capacitor must be discharged, otherwise very likely damage the meter9v battery powering stackedonly 20na shutdown current5v zener diode can be identified4v lithium battery pack consisting oftest ranges: inductors, capacitors, diodes, dual diode, mos, transistor, scr, the regulator, led tube, esr, resistance,adjustable potentiometer resistance:0

  • Aviso: antes de medir la capacitancia, el condensador debe ser descargado, por lo dem谩s muy probable da帽ar el medidor m谩s detalles: 1,8 pulgadas de pantalla lcd tft dimensiones: 70 mm * 135 mm * 24 mm potencia: dc9v (bater铆a de 9v 6f22) peso: kg (sin bater铆a) el paquete incluye: 1pcs transistor tft probador de diodos tr铆odo metro de la capacitancia lcr esr npn pnp mosfet 1pcs clip de prueba10, la resoluci贸n de medici贸n de la resistencia es de 0,1 ohmios, ohmios 50m se pueden medircombo del led se identifica como dos diodos8, medici贸n de la puerta mos fet tensi贸n umbral y la capacitancia de la puertapara que pueda medir el potenci贸metro15, la tensi贸n de ruptura eeverse es menor que 4,5 v diodo zener puede ser identificado2uf m谩s condensadores pueden medir simult谩neamente los valores de esr resistencia en serie equivalente7, se puede detectar transistores bipolares y transistores mos diodos de protecci贸nespecificaciones: 1, deteccion inteligente del componente conectado 2, minimo consumo 20na18 se pueden obtener con una 煤nica conexi贸n de puente rectificador de medici贸n13, puede estar en el orden correcto y los diodos representaci贸n de los s铆mbolos dos diodos, y da el diodo de tensi贸n directa5, de medici贸n bipolar transistor actual factor de amplificaci贸n y la base - emisor de tensi贸n de umbral11, se puede medir el capacitancecan medida capacitancia de 30pf-100mf, resoluci贸n de 1 pf9, puede medir simult谩neamente dos resistencias y se muestra s铆mbolo resistorsi el del potenci贸metro no se transfiere a una posici贸n extrema, podemos distinguir el centro y ambos extremos del pasador16, puede medir una sola capacitancia del diodo inversos铆mbolo de la resistencia en ambos lados muestra el n煤mero de pin6, via la base - tensi贸n de umbral emisor y alto factor de amplificaci贸n de corriente para identificar los transistores darlingtonlos dos se pueden visualizar con un valor decimal, resoluci贸n de 0,01 ohmiosque se muestra a la derecha con un valor decimal de 43, detecta transistores npn, transistores bipolares pnp, n -channel y p -channel mos fet, jfet, diodos, dos diodos, tiristores unidireccional y bidireccional4, la disposici贸n de pines componentes de identificaci贸n es autom谩ticaled se detecta como un diodo de tensi贸n directa superiorsi el transistor bipolar conectado a la base y el colector o emisor de un pasador, se puede medir el colector o emisor capacidad de la uni贸n inversa

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