C transistor

Listado c transistor

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C Transistor de potencia para UHF

transistor de potencia uhf de la línea mitsubishi - japan (nuevos) consultas a

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2sasc Npn Pnp Transistor To264 Usa Itytarg

Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín
Transistor Bc547 Npn Ptec

Npn epitaxial silicon transistor absolute maximum ratings ta=25°c unless otherwise noted electrical characteristics ta=25°c unless otherwise noted hfe classification symbol parameter value units vcbo collector-base voltage: bc546: bc: bc v v v vceo collector-emitter voltage: bc546: bc: bc v v v vebo emitter-base voltage: bc: bc v v ic collector current (dc) 100 ma pc collector power dissipation 500 mw tj junction temperature 150 °c tstg storage temperature - °c symbol parameter test condition min5 6 pf cib input capacitance veb=05ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (sat) base-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=0units icbo collector cut-off current vcb=30v, ie=0 15 na hfe dc current gain vce=5v, ic=2ma vce (sat) collector-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05v, ic=0, f=1mhz 9 pf nf noise figure: bc: bc: bc549: bc550 vce=5v, ic=200µa f=1khz, rg=2k¿ vce=5v, ic=200µa rg=2k¿, f=mhz db db db db classification a b c hfe5ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (on) base-emitter on voltage vce=5v, ic=2ma vce=5v, ic=10ma mv mv ft current gain bandwidth product vce=5v, ic=10ma, f=100mhz 300 mhz cob output capacitance vcb=10v, ie=0, f=1mhz 3

Wd6 Par Compl 2sasc A C

On semi usa 2sasd tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) máx) a ic, vce 150 a 270 ma, 2 v potencia máxima 2 w frecuencia - transición 230 mhz temperatura de operación 150°c (tj) 2scsd tipo de transistor npn corriente de colector (ic) máx10 a voltaje de interrupción - colector-emisor (máx) a ib, ic 500 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (máx) 50 v vce de saturación (máx) a ib, ic 360 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (máx) a ic, vce 200 a 270 ma, 2 v potencia máxima 25 w frecuencia - transición 330 mhz temperatura de operación 150°c (tj)) 10 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín
Transistor To92 Npn C X 5 Unidades

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Transistor 2n Pnp 40v 250mhz 600mw Itytarg

Disponible a partir del tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) máx) a ic, vce 100 a 150 ma, 2 v potencia máxima 600 mw frecuencia - transición 200 mhz temperatura de operación -55 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje orificio pasante paquete / caja (carcasa) to-, to-92-3 (to-226aa) (conductores formados) paquete del dispositivo del proveedor to-92) 40 v vce de saturación (máx) 100 na (icbo) ganancia de cc (hfe) (mínvoltaje de interrupción - colector-emisor (máx) a ib, ic 750 mv a 50 ma, 500 ma corriente de corte del colector (máx
Transistor. C

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Fgh60n60 Fgh60n60smd Transistor Igbt 600v 120a 60n60

transistor igbt high speed c/diodo marca: fairchild - on semiconductor código: fgh60n60smd versión
Fgh 60n60 Fgh-60n60 Fgh60n60 Transistor Igbt N 600v 120a

26mj (a), 450 y micro; j (off) - tipo de entrada: estándar - bloquee la carga: 189nc - td (on/off) @ 25 ° c: 18ns/104ns la compra incluye - 1 transistor fgh60n60 sku: fgh60n605 v @ 15 v, 60a - energía-máxima: 600 w - eonmutación de la energía: 1): 600 v - actual-colector (ic) (máxlos transistores igbt ofrecen tecnología de rendimiento optimo para ups, soldadores y aplicaciones pfc, donde evitar perdidas de conducción y conmutación son esenciales9 v (típico) @ ic = 60a - alta impedancia de entrada - conmutación rápida - apretar parámetros de distribución - compatible con rohs especificaciones técnicas - familia: de transistores igbt-single - tipo igbt: diafragma de campo - voltaje colector-emisor (máx): 120a - actual-colector pulsada (icm): 180a - vce (on) (máxespecificaciones - temperatura máxima de conexiones: tj = 175oc - temperaura positivo coeficiente de fácil funcionamiento paralelo - alta capacidad de corriente - baja tensión de saturación: vce (sat) = 1

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transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de silicioestá diseñado para funcionar en 12,5 v uhf y tiene grandes aplicaciones como amplificador de señal de hasta 512 mhz= 4,4 db a 60 w / frec 470 mhz-; (3) sistema de metalización omnigold

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Transistor To92 Pnp 2n X 5 Unidades

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Pack de 5 transistores to92 pnp 2n el 2n es un transistor pnp de alta tensión de mediana potenciacaracterísticas: corriente de colector: -06 a tensión colector-emisor: -150 v hfe 70 mínimo encapsulado t092
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Radio hitachi transistor 8 modelo wh-859d, hecha en japón en la década del 50, este modelo cuenta con tres bandas de frecuencias, sintonia fina, salida para auricular cuenta con antena y funciona con 3 pilas grandes, se encuentra en buen estado

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