Ic max

Listado ic max

  • ) a ib, ic 500 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (m谩x) a ib, ic 360 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (m谩x) 50 v vce de saturaci贸n (m谩x10 a voltaje de interrupci贸n - colector-emisor (m谩x) a ic, vce 150 a 270 ma, 2 v potencia m谩xima 2 w frecuencia - transici贸n 230 mhz temperatura de operaci贸n 150掳c (tj) 2scsd tipo de transistor npn corriente de colector (ic) m谩xon semi usa 2sasd tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) m谩x) 10 碌a (icbo) ganancia de cc (hfe) (m铆n) a ic, vce 200 a 270 ma, 2 v potencia m谩xima 25 w frecuencia - transici贸n 330 mhz temperatura de operaci贸n 150掳c (tj)

  • Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturaci贸n (m谩x) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia m谩xima: 150 w frecuencia - transici贸n: 30 mhz temperatura de operaci贸n: -50 掳c ~ 150 掳c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturaci贸n (m谩x) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia m谩xima: 150 w frecuencia - transici贸n: 30 mhz temperatura de operaci贸n: -50 掳c ~ 150 掳c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (m谩x): 5 碌a (icbo) ganancia de cc (hfe) (m铆n

  • ) a ib, ic 750 mv a 50 ma, 500 ma corriente de corte del colector (m谩xvoltaje de interrupci贸n - colector-emisor (m谩x) a ic, vce 100 a 150 ma, 2 v potencia m谩xima 600 mw frecuencia - transici贸n 200 mhz temperatura de operaci贸n -55 掳c ~ 150 掳c (tj) tipo de montaje orificio pasante paquete / caja (carcasa) to-, to-92-3 (to-226aa) (conductores formados) paquete del dispositivo del proveedor to-92disponible a partir del tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) m谩x) 40 v vce de saturaci贸n (m谩x) 100 na (icbo) ganancia de cc (hfe) (m铆n

  • 9 v (t铆pico) @ ic = 60a - alta impedancia de entrada - conmutaci贸n r谩pida - apretar par谩metros de distribuci贸n - compatible con rohs especificaciones t茅cnicas - familia: de transistores igbt-single - tipo igbt: diafragma de campo - voltaje colector-emisor (m谩x26mj (a), 450 y micro; j (off) - tipo de entrada: est谩ndar - bloquee la carga: 189nc - td (on/off) @ 25 掳 c: 18ns/104ns la compra incluye - 1 transistor fgh60n60 sku: fgh60n60): 600 v - actual-colector (ic) (m谩xlos transistores igbt ofrecen tecnolog铆a de rendimiento optimo para ups, soldadores y aplicaciones pfc, donde evitar perdidas de conducci贸n y conmutaci贸n son esenciales5 v @ 15 v, 60a - energ铆a-m谩xima: 600 w - eonmutaci贸n de la energ铆a: 1especificaciones - temperatura m谩xima de conexiones: tj = 175oc - temperaura positivo coeficiente de f谩cil funcionamiento paralelo - alta capacidad de corriente - baja tensi贸n de saturaci贸n: vce (sat) = 1): 120a - actual-colector pulsada (icm): 180a - vce (on) (m谩x

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