Icbo

Listado icbo

• Wd6 Par Compl 2sasc A C

  

  ) 10 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín10 a voltaje de interrupción - colector-emisor (máx) a ib, ic 500 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (máx) a ib, ic 360 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (máx) a ic, vce 150 a 270 ma, 2 v potencia máxima 2 w frecuencia - transición 230 mhz temperatura de operación 150°c (tj) 2scsd tipo de transistor npn corriente de colector (ic) máxon semi usa 2sasd tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) máx) 50 v vce de saturación (máx) a ic, vce 200 a 270 ma, 2 v potencia máxima 25 w frecuencia - transición 330 mhz temperatura de operación 150°c (tj)

• 2sasc Npn Pnp Transistor To264 Usa Itytarg

  

  ) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máxpareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín

• Transistor Bc547 Npn Ptec

  

  Units icbo collector cut-off current vcb=30v, ie=0 15 na hfe dc current gain vce=5v, ic=2ma vce (sat) collector-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05 6 pf cib input capacitance veb=05ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (on) base-emitter on voltage vce=5v, ic=2ma vce=5v, ic=10ma mv mv ft current gain bandwidth product vce=5v, ic=10ma, f=100mhz 300 mhz cob output capacitance vcb=10v, ie=0, f=1mhz 3npn epitaxial silicon transistor absolute maximum ratings ta=25°c unless otherwise noted electrical characteristics ta=25°c unless otherwise noted hfe classification symbol parameter value units vcbo collector-base voltage: bc546: bc: bc v v v vceo collector-emitter voltage: bc546: bc: bc v v v vebo emitter-base voltage: bc: bc v v ic collector current (dc) 100 ma pc collector power dissipation 500 mw tj junction temperature 150 °c tstg storage temperature - °c symbol parameter test condition min5ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (sat) base-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05v, ic=0, f=1mhz 9 pf nf noise figure: bc: bc: bc549: bc550 vce=5v, ic=200µa f=1khz, rg=2k¿ vce=5v, ic=200µa rg=2k¿, f=mhz db db db db classification a b c hfe

• Transistor 2n Pnp 40v 250mhz 600mw Itytarg

  

  ) 100 na (icbo) ganancia de cc (hfe) (míndisponible a partir del tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) máx) 40 v vce de saturación (máx) a ic, vce 100 a 150 ma, 2 v potencia máxima 600 mw frecuencia - transición 200 mhz temperatura de operación -55 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje orificio pasante paquete / caja (carcasa) to-, to-92-3 (to-226aa) (conductores formados) paquete del dispositivo del proveedor to-92) a ib, ic 750 mv a 50 ma, 500 ma corriente de corte del colector (máxvoltaje de interrupción - colector-emisor (máx

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