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Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín

Capacheck Probador Inteligente De Componentes Electronicos

Aviso: antes de medir la capacitancia, el condensador debe ser descargado, por lo demás muy probable dañar el medidor más detalles: 1,8 pulgadas de pantalla lcd tft dimensiones: 70 mm * 135 mm * 24 mm potencia: dc9v (batería de 9v 6f22) peso: kg (sin batería) el paquete incluye: 1pcs transistor tft probador de diodos tríodo metro de la capacitancia lcr esr npn pnp mosfet 1pcs clip de pruebasi el del potenciómetro no se transfiere a una posición extrema, podemos distinguir el centro y ambos extremos del pasadorsi el transistor bipolar conectado a la base y el colector o emisor de un pasador, se puede medir el colector o emisor capacidad de la unión inversa15, la tensión de ruptura eeverse es menor que 4,5 v diodo zener puede ser identificado18 se pueden obtener con una única conexión de puente rectificador de medicióncombo del led se identifica como dos diodos7, se puede detectar transistores bipolares y transistores mos diodos de protecciónled se detecta como un diodo de tensión directa superior11, se puede medir el capacitancecan medida capacitancia de 30pf-100mf, resolución de 1 pf3, detecta transistores npn, transistores bipolares pnp, n -channel y p -channel mos fet, jfet, diodos, dos diodos, tiristores unidireccional y bidireccional8, medición de la puerta mos fet tensión umbral y la capacitancia de la puertasímbolo de la resistencia en ambos lados muestra el número de pin9, puede medir simultáneamente dos resistencias y se muestra símbolo resistor10, la resolución de medición de la resistencia es de 0,1 ohmios, ohmios 50m se pueden medir5, de medición bipolar transistor actual factor de amplificación y la base - emisor de tensión de umbrallos dos se pueden visualizar con un valor decimal, resolución de 0,01 ohmiosque se muestra a la derecha con un valor decimal de 46, via la base - tensión de umbral emisor y alto factor de amplificación de corriente para identificar los transistores darlingtonespecificaciones: 1, deteccion inteligente del componente conectado 2, minimo consumo 20napara que pueda medir el potenciómetro4, la disposición de pines componentes de identificación es automática2uf más condensadores pueden medir simultáneamente los valores de esr resistencia en serie equivalente16, puede medir una sola capacitancia del diodo inverso13, puede estar en el orden correcto y los diodos representación de los símbolos dos diodos, y da el diodo de tensión directa
Transistor To92 Pnp 2n X 5 Unidades

Pack de 5 transistores to92 pnp 2n el 2n es un transistor pnp de alta tensión de mediana potenciacaracterísticas: corriente de colector: -06 a tensión colector-emisor: -150 v hfe 70 mínimo encapsulado t092

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Automatic detection of npn and pnp transistors, n -channel and p-channel mosfet, diodes (including dual diode), thyristors, transistors, resistors and capacitors and other components, 3automatically detect npn, pnp bipolar transistors, n -channel and p -channel mos fet, jfet, diodes, two diodes, thyristors small power unidirectional and bidirectional thyristor01mh-20h new function: 1:automatic detection of npn and pnp transistors, n-channel and p-channel mosfet, diode (including double diode), thyristor, transistor, resistor and capacitor and other components 2: automatic test the pin of a component, and display on the lcd 3:can detect the transistor, mosfet protection diode amplification coefficient and the base to determine the emitter transistor forward biased voltage 4: measure the gate and gate capacitance of the mosfet threshold voltage 5:use liquid crystal display with green backlight specifications: for you reference 1lcr-t3 graphical multi-function tester resistor capacitor + + + scr + diode + transistor + mos tube inductance lcd lcd display, with backlight, backlight color is generally yellow-greenled is detected as a diode forward voltage higherauto power off function to avoid unnecessary waste, saving battery power, improved battery lifepower consumption off mode: less than 20 na of 1017 can be obtained with a single measurement rectifier bridge connection1 ohms, 50m ohms can be measuredadd boot voltage detection function 2can measure capacitancecan measure capacitance of 30pf-100mf, resolution 1pfone -button operation, automatic shutdownif the bipolar transistor connected to the base and collector or emitter of a pin, it can measure the collector or emitter junction reverse capacitance1 ohm resolution, maximum 50m ohm capacitor:25pf - uf inductors: 0automatic identification components pin arrangement5v zener diode can be identifiedresistance measurement resolution is 0can detect bipolar transistors and mos transistors protection diodesthe two can be displayed with a decimal value, resolution 0combo of the led is identified as two diodesmeasure the gate threshold voltage and gate capacitance of the mosfet lcd display uses lcd ( lcd with backlight) 7eeverse breakdown voltage is less than 4can measure a single diode reverse capacitancenotice: before measuring capacitance, the capacitor must be discharged, otherwise very likely damage the meterif the potentiometer wiper is not transferred to an extreme position, we can distinguish the middle and both ends of the pin2uf more capacitors can simultaneously measure the equivalent series resistance esr valuescan be detected to determine the transistor emitter forward bias voltage of the transistor, mosfet protection diode and the amplification factor of the base 5measuring the gate mos fet threshold voltage and the gate capacitancecan simultaneously measure two resistors and resistor symbol is displayedcan be in the correct order and the diode symbol display two diodes, and gives the diode forward voltageif prolonged power, you can use two 8so you can measure the potentiometerdisplayed on the right with a decimal value of 4resistance symbol on both sides shows the pin numberonly 20na shutdown currentvia the base - emitter threshold voltage and high current amplification factor to identify darlington transistorsautomatic test out the pin element and displayed on the lcd 49v battery powering stackedhigh test speed, valid component test: 2 seconds (except in the larger capacitor of large capacitance measurement also takes a long time, the measured time of one minute is normal) 8test ranges: inductors, capacitors, diodes, dual diode, mos, transistor, scr, the regulator, led tube, esr, resistance,adjustable potentiometer resistance:0one button operation, power-on test, get a keymeasuring bipolar transistor current amplification factor and base - emitter threshold voltage4v lithium battery pack consisting of

Wd6 Par Compl 2sasc A C

On semi usa 2sasd tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) máx) a ic, vce 150 a 270 ma, 2 v potencia máxima 2 w frecuencia - transición 230 mhz temperatura de operación 150°c (tj) 2scsd tipo de transistor npn corriente de colector (ic) máx) 10 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín10 a voltaje de interrupción - colector-emisor (máx) a ib, ic 500 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (máx) a ib, ic 360 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (máx) 50 v vce de saturación (máx) a ic, vce 200 a 270 ma, 2 v potencia máxima 25 w frecuencia - transición 330 mhz temperatura de operación 150°c (tj)
Barrera/cortina De Seguridad Modelo: Sna0820n Marca: Ibest

Especificaciones técnicas: property project specific parameter output npn controller dual relay controller intallation inside electrical distribution box type through beam response <20ms cable 2m power supply dc 24v el precio incluye isna2080n barrera de seguridad, through beam,, 20 haces, separación:80mm, alcance:2m, salida dc24v npn, protección:1520mm, con relé controlador, cables, conectores y accesorios de montajemodelos disponibles: (el precio publicado es por el modelo sna0820n, consulte por cotizaciones de otros modelos) sna2020n barrera de seguridad, through beam,, 20 haces, separación:20mm, alcance:2m, salida dc24v npn, con relé controlador, cables, conectores y accesorios de montajebarrera de seguridad sna 0820n marca ibest through beam,, 8 haces, separación:20mm, alcance:2m, salida dc24v npn, protección:140mm, con relé controlador, cables, conectores y accesorios de montaje incluidosconsulte por descuentos a distribuidores mayoristassna1680n barrera de seguridad, through beam,, 16 haces, separación:80mm, alcance:2m, salida dc24v npn, con relé controlador, cables, conectores y accesorios de montajerecuerde que su compra es un compromiso, haga las preguntas necesarias antes de ofertarmuchas gracias por elegirnosno oferte varias veces la misma publicaciónsna0820n barrera de seguridad, through beam,, 8 haces, separación:20mm, alcance:2m, salida dc24v npn, protección:140mm, con relé controlador, cables, conectores y accesorios de montajedistribuidora dínamohacemos factura a y benvios a todo el país

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2n Transistor Japones Original Toshiba 15a 60v Npn To3

2n original japones marca toshiba - no se quema como loa truchos 15 amperes 60 voltios npn - to3
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Transistor To92 Npn C945 X 5 Unidades

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Transistor Bc547 Npn Ptec

npn epitaxial silicon transistor absolute maximum ratings ta=25°c unless otherwise noted electrical characteristics ta=25°c unless otherwise noted hfe classification symbol parameter value units vcbo collector-base voltage: bc546: bc: bc v v v vceo collector-emitter voltage: bc546: bc: bc v v v vebo emitter-base voltage: bc: bc v v ic collector current (dc) 100 ma pc collector power dissipation 500 mw tj junction temperature 150 °c tstg storage temperature - °c symbol parameter test condition min5 6 pf cib input capacitance veb=0units icbo collector cut-off current vcb=30v, ie=0 15 na hfe dc current gain vce=5v, ic=2ma vce (sat) collector-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (on) base-emitter on voltage vce=5v, ic=2ma vce=5v, ic=10ma mv mv ft current gain bandwidth product vce=5v, ic=10ma, f=100mhz 300 mhz cob output capacitance vcb=10v, ie=0, f=1mhz 35ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (sat) base-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05v, ic=0, f=1mhz 9 pf nf noise figure: bc: bc: bc549: bc550 vce=5v, ic=200µa f=1khz, rg=2k¿ vce=5v, ic=200µa rg=2k¿, f=mhz db db db db classification a b c hfe

Transistor To92 Npn 2n X 5 Unidades

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Sensor Capacitivo Rhomberg 2-20mm vdc M30 NA NPN

Conexión: npn 400ma máx (normal abierto)está guardado hace tiempose usó una sola vez para una pruebasensor marca rhomberg modelo rcs tipo: capacitivo diámetro: 30mm alimentación: vdc (2mtssensado: 2 a 20mm (ajustable) cabezal: superficie

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Avion Rc Eachine Micro Skyhunter Pnp + Radio Flysky I6

Eachine micro sky hunter pnp + radio flysky i6 características avión: - avión prácticamente listo para volar - material: alas y fuselaje epo + varillas de fibra de carbono - medidas: 780mm ala, 540mm fuselaje - peso: 230 gramos (sin batería) contenido del paquete (avión): - avión completo + accesorios de ensamblaje - motor brushless kv - x3 micro servos 9g - esc 20a 2-3s - manual de usuario características radio control: - digital con varias configuraciones de programación - 6ch con posibilidad de actualizarla a 10ch - 25 km (aprox) de alcance con el receptor incluido (ia6b) -telemetría, batería del receptor y señal

Transistor 2n Pnp 40v 250mhz 600mw Itytarg

Disponible a partir del tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) máx) 100 na (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín) 40 v vce de saturación (máx) a ic, vce 100 a 150 ma, 2 v potencia máxima 600 mw frecuencia - transición 200 mhz temperatura de operación -55 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje orificio pasante paquete / caja (carcasa) to-, to-92-3 (to-226aa) (conductores formados) paquete del dispositivo del proveedor to-92) a ib, ic 750 mv a 50 ma, 500 ma corriente de corte del colector (máxvoltaje de interrupción - colector-emisor (máx
NTE 335 NPN si RF po (nuevos)

Transistor de potencia para hf hasta 30 mhz(nuevos) http://www80w made in usacom/specs/300to399/pdf/nte335_6

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