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Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín

Capacheck Probador Inteligente De Componentes Electronicos

Aviso: antes de medir la capacitancia, el condensador debe ser descargado, por lo demás muy probable dañar el medidor más detalles: 1,8 pulgadas de pantalla lcd tft dimensiones: 70 mm * 135 mm * 24 mm potencia: dc9v (batería de 9v 6f22) peso: kg (sin batería) el paquete incluye: 1pcs transistor tft probador de diodos tríodo metro de la capacitancia lcr esr npn pnp mosfet 1pcs clip de pruebacombo del led se identifica como dos diodos18 se pueden obtener con una única conexión de puente rectificador de medición6, via la base - tensión de umbral emisor y alto factor de amplificación de corriente para identificar los transistores darlington11, se puede medir el capacitancecan medida capacitancia de 30pf-100mf, resolución de 1 pf16, puede medir una sola capacitancia del diodo inversopara que pueda medir el potenciómetro2uf más condensadores pueden medir simultáneamente los valores de esr resistencia en serie equivalente15, la tensión de ruptura eeverse es menor que 4,5 v diodo zener puede ser identificadoespecificaciones: 1, deteccion inteligente del componente conectado 2, minimo consumo 20na8, medición de la puerta mos fet tensión umbral y la capacitancia de la puerta10, la resolución de medición de la resistencia es de 0,1 ohmios, ohmios 50m se pueden medirsi el del potenciómetro no se transfiere a una posición extrema, podemos distinguir el centro y ambos extremos del pasadorsímbolo de la resistencia en ambos lados muestra el número de pin7, se puede detectar transistores bipolares y transistores mos diodos de protecciónlos dos se pueden visualizar con un valor decimal, resolución de 0,01 ohmiossi el transistor bipolar conectado a la base y el colector o emisor de un pasador, se puede medir el colector o emisor capacidad de la unión inversa3, detecta transistores npn, transistores bipolares pnp, n -channel y p -channel mos fet, jfet, diodos, dos diodos, tiristores unidireccional y bidireccional4, la disposición de pines componentes de identificación es automática9, puede medir simultáneamente dos resistencias y se muestra símbolo resistorled se detecta como un diodo de tensión directa superior5, de medición bipolar transistor actual factor de amplificación y la base - emisor de tensión de umbral13, puede estar en el orden correcto y los diodos representación de los símbolos dos diodos, y da el diodo de tensión directaque se muestra a la derecha con un valor decimal de 4
Transistor To92 Pnp 2n X 5 Unidades

Pack de 5 transistores to92 pnp 2n el 2n es un transistor pnp de alta tensión de mediana potencia6 a tensión colector-emisor: -150 v hfe 70 mínimo encapsulado t092características: corriente de colector: -0

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Automatic detection of npn and pnp transistors, n -channel and p-channel mosfet, diodes (including dual diode), thyristors, transistors, resistors and capacitors and other components, 3automatically detect npn, pnp bipolar transistors, n -channel and p -channel mos fet, jfet, diodes, two diodes, thyristors small power unidirectional and bidirectional thyristor01mh-20h new function: 1:automatic detection of npn and pnp transistors, n-channel and p-channel mosfet, diode (including double diode), thyristor, transistor, resistor and capacitor and other components 2: automatic test the pin of a component, and display on the lcd 3:can detect the transistor, mosfet protection diode amplification coefficient and the base to determine the emitter transistor forward biased voltage 4: measure the gate and gate capacitance of the mosfet threshold voltage 5:use liquid crystal display with green backlight specifications: for you reference 1resistance measurement resolution is 0add boot voltage detection function 2power consumption off mode: less than 20 na of 10high test speed, valid component test: 2 seconds (except in the larger capacitor of large capacitance measurement also takes a long time, the measured time of one minute is normal) 8measuring bipolar transistor current amplification factor and base - emitter threshold voltagetest ranges: inductors, capacitors, diodes, dual diode, mos, transistor, scr, the regulator, led tube, esr, resistance,adjustable potentiometer resistance:0one button operation, power-on test, get a keynotice: before measuring capacitance, the capacitor must be discharged, otherwise very likely damage the meterdisplayed on the right with a decimal value of 4auto power off function to avoid unnecessary waste, saving battery power, improved battery lifecan simultaneously measure two resistors and resistor symbol is displayedcan be detected to determine the transistor emitter forward bias voltage of the transistor, mosfet protection diode and the amplification factor of the base 51 ohms, 50m ohms can be measuredcan be in the correct order and the diode symbol display two diodes, and gives the diode forward voltagethe two can be displayed with a decimal value, resolution 05v zener diode can be identifiedcan detect bipolar transistors and mos transistors protection diodes17 can be obtained with a single measurement rectifier bridge connectionresistance symbol on both sides shows the pin numbermeasuring the gate mos fet threshold voltage and the gate capacitance4v lithium battery pack consisting ofled is detected as a diode forward voltage higherone -button operation, automatic shutdownso you can measure the potentiometer9v battery powering stackedcan measure a single diode reverse capacitancemeasure the gate threshold voltage and gate capacitance of the mosfet lcd display uses lcd ( lcd with backlight) 7automatic test out the pin element and displayed on the lcd 42uf more capacitors can simultaneously measure the equivalent series resistance esr values1 ohm resolution, maximum 50m ohm capacitor:25pf - uf inductors: 0eeverse breakdown voltage is less than 4if the potentiometer wiper is not transferred to an extreme position, we can distinguish the middle and both ends of the pinautomatic identification components pin arrangementcan measure capacitancecan measure capacitance of 30pf-100mf, resolution 1pfonly 20na shutdown currentvia the base - emitter threshold voltage and high current amplification factor to identify darlington transistorsif the bipolar transistor connected to the base and collector or emitter of a pin, it can measure the collector or emitter junction reverse capacitanceif prolonged power, you can use two 8lcr-t3 graphical multi-function tester resistor capacitor + + + scr + diode + transistor + mos tube inductance lcd lcd display, with backlight, backlight color is generally yellow-greencombo of the led is identified as two diodes

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On semi usa 2sasd tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) máx) a ic, vce 150 a 270 ma, 2 v potencia máxima 2 w frecuencia - transición 230 mhz temperatura de operación 150°c (tj) 2scsd tipo de transistor npn corriente de colector (ic) máx10 a voltaje de interrupción - colector-emisor (máx) a ic, vce 200 a 270 ma, 2 v potencia máxima 25 w frecuencia - transición 330 mhz temperatura de operación 150°c (tj)) 50 v vce de saturación (máx) 10 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín) a ib, ic 360 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (máx) a ib, ic 500 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (máx
Barrera/cortina De Seguridad Modelo: Sna0820n Marca: Ibest

Especificaciones técnicas: property project specific parameter output npn controller dual relay controller intallation inside electrical distribution box type through beam response <20ms cable 2m power supply dc 24v el precio incluye idistribuidora dínamosna2080n barrera de seguridad, through beam,, 20 haces, separación:80mm, alcance:2m, salida dc24v npn, protección:1520mm, con relé controlador, cables, conectores y accesorios de montajeconsulte por descuentos a distribuidores mayoristasrecuerde que su compra es un compromiso, haga las preguntas necesarias antes de ofertarmuchas gracias por elegirnosbarrera de seguridad sna 0820n marca ibest through beam,, 8 haces, separación:20mm, alcance:2m, salida dc24v npn, protección:140mm, con relé controlador, cables, conectores y accesorios de montaje incluidosenvios a todo el paíssna1680n barrera de seguridad, through beam,, 16 haces, separación:80mm, alcance:2m, salida dc24v npn, con relé controlador, cables, conectores y accesorios de montajeno oferte varias veces la misma publicaciónhacemos factura a y bmodelos disponibles: (el precio publicado es por el modelo sna0820n, consulte por cotizaciones de otros modelos) sna2020n barrera de seguridad, through beam,, 20 haces, separación:20mm, alcance:2m, salida dc24v npn, con relé controlador, cables, conectores y accesorios de montajesna0820n barrera de seguridad, through beam,, 8 haces, separación:20mm, alcance:2m, salida dc24v npn, protección:140mm, con relé controlador, cables, conectores y accesorios de montaje

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2n Transistor Japones Original Toshiba 15a 60v Npn To3

2n original japones marca toshiba - no se quema como loa truchos 15 amperes 60 voltios npn - to3
Transistor To92 Npn C X 5 Unidades

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Transistor To92 Npn C945 X 5 Unidades

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Transistor Bc547 Npn Ptec

npn epitaxial silicon transistor absolute maximum ratings ta=25°c unless otherwise noted electrical characteristics ta=25°c unless otherwise noted hfe classification symbol parameter value units vcbo collector-base voltage: bc546: bc: bc v v v vceo collector-emitter voltage: bc546: bc: bc v v v vebo emitter-base voltage: bc: bc v v ic collector current (dc) 100 ma pc collector power dissipation 500 mw tj junction temperature 150 °c tstg storage temperature - °c symbol parameter test condition min5 6 pf cib input capacitance veb=05ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (on) base-emitter on voltage vce=5v, ic=2ma vce=5v, ic=10ma mv mv ft current gain bandwidth product vce=5v, ic=10ma, f=100mhz 300 mhz cob output capacitance vcb=10v, ie=0, f=1mhz 35v, ic=0, f=1mhz 9 pf nf noise figure: bc: bc: bc549: bc550 vce=5v, ic=200µa f=1khz, rg=2k¿ vce=5v, ic=200µa rg=2k¿, f=mhz db db db db classification a b c hfeunits icbo collector cut-off current vcb=30v, ie=0 15 na hfe dc current gain vce=5v, ic=2ma vce (sat) collector-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (sat) base-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=0

Transistor To92 Npn 2n X 5 Unidades

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Transistor To92 Npn S X 5 Unidades

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Sensor Capacitivo Rhomberg 2-20mm vdc M30 NA NPN

Conexión: npn 400ma máx (normal abierto)se usó una sola vez para una pruebasensor marca rhomberg modelo rcs tipo: capacitivo diámetro: 30mm alimentación: vdc (2mtssensado: 2 a 20mm (ajustable) cabezal: superficieestá guardado hace tiempo

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Transistor To92 Pnp 2n X 5 Unidades

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Avion Rc Eachine Micro Skyhunter Pnp + Radio Flysky I6

Eachine micro sky hunter pnp + radio flysky i6 características avión: - avión prácticamente listo para volar - material: alas y fuselaje epo + varillas de fibra de carbono - medidas: 780mm ala, 540mm fuselaje - peso: 230 gramos (sin batería) contenido del paquete (avión): - avión completo + accesorios de ensamblaje - motor brushless kv - x3 micro servos 9g - esc 20a 2-3s - manual de usuario características radio control: - digital con varias configuraciones de programación - 6ch con posibilidad de actualizarla a 10ch - 25 km (aprox) de alcance con el receptor incluido (ia6b) -telemetría, batería del receptor y señal

Transistor 2n Pnp 40v 250mhz 600mw Itytarg

Disponible a partir del tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) máxvoltaje de interrupción - colector-emisor (máx) a ic, vce 100 a 150 ma, 2 v potencia máxima 600 mw frecuencia - transición 200 mhz temperatura de operación -55 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje orificio pasante paquete / caja (carcasa) to-, to-92-3 (to-226aa) (conductores formados) paquete del dispositivo del proveedor to-92) 100 na (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín) a ib, ic 750 mv a 50 ma, 500 ma corriente de corte del colector (máx) 40 v vce de saturación (máx
NTE 335 NPN si RF po (nuevos)

Com/specs/300to399/pdf/nte335_6transistor de potencia para hf hasta 30 mhz80w made in usa(nuevos) http://www

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