Power transistor protection
Listado power transistor protection
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12 db por octava *sistema de refrigeración: dos velocidades dc fan air flow back to front *crossover: regulable hz *entradas: eletronic balanced; xlr *salidas: speakon para cha, chb; barrier strip *led indicadores: clipping, señal, encendido -protecciones: *power transformer protection *power transistor protection *loudspeaker protection *current limiting protection *thermal protectionbridge *filtro de bajos: -3 db @ 40hzconsultar stock, formas de pago y envÃos caracterÃsticas * w rms 2 ohms * w rms 4 ohms * w rms 8 ohms *w rms 8 ohms modo puente *stereo
$ 11699
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Descripcion potencia: w 4oms w 8oms 300w 8oms modo puente stereo-mono-bridge salida de bafles izquierda, derecha y puente doble turbina entrada xrl y plug excelente rendimiento protecciones: power transformer protection power transistor protection current limiting protection thermal protection loudspeaker protection se prueba y se retira por berazateguivendo o permuto 2 bafles gbr + 1 potencia gbr bta200 impecable muy poco uso, excelente funcionamientopermuto por compresor o alguna otra cosa de mi interésrecuerda que ofertar es un compromiso de comprase abona en efectivorespuesta frecuencia: 55 hz-20 khzprecio de contado $ precio de permuta $ descripcion bafles: bafle 2 vias woofer 15 driver titaniumimpedancia: 8 ohmsensibilidad: 96 dbdimensiones: 700 x 450 x 350 mmde madera, alfombrados con esquineros, manijas y rejas protectoras de wooferpotencia: 400w rms - 800w picoconsulta antes de ofertarmira mis otras publicaciones
$ 15000
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12 db por octava sistema de refrigeración: dos velocidades dc fan air flow back to front crossover: regulable 40 - 180 hz entradas: eletronic balanced ; xlr salidas: speakon para cha, chb ; barrier strip led indicadores: clipping , señal, encendido -protecciones: power transformer protection power transistor protection loudspeaker protection current limiting protection thermal protectionpotencia gbr s750x 2400w con crossover dual producto nuevo sin uso caractersiticas generales con crossover incorporado!! 1200 1200 w rms 4 ohms 700 700w 8 ohms 2400w rms 8 ohms modo puente stereo mono bridge filtro de bajos: - 3 db 40hz
La Plata (Buenos Aires)
$ 44000
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transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de silicioestá diseñado para funcionar en 12,5 v uhf y tiene grandes aplicaciones como amplificador de señal de hasta 512 mhz= 4,4 db a 60 w / frec 470 mhz-; (3) sistema de metalización omnigold
$ 700
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transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de
Argentina
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Buy69a to3 power transistor 10a 400v 100w silicon npn el precio es por unidad son nuevos de un antiguo stock son los de la foto consultar hago envios a todo el pais efvo el precio es el publicado gracias
Gualeguaychú (Entre RÃos)
$ 298
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power mosfet transistor data tmos motorola- dl135first edition -- - dl135
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Other common magical rings that are requested daily are protection rings, success rings, fertility rings, and also magical rings for a child's well-beinglove, money, success, protection from evils and physical harm, fertility, and well-being,child welfare,court cases,power and attraction,luck and success are some of the areas made easier by these magic ringsfor more information about magic ring contact me below callwhatsapp 27782830887 twitter-https:twitterthey have a wide array of uses just like there is a wide variety of magical rings for protection, special magical needs and purposesonce explaining your magical need or purpose, your ring will be made with your special magical need in mindmoneyandlovespellsdifferent magical rings possess different magical powers or are made for different magical purposesthere are many magical rings all having different magical and planetary powers that are drawn into the ring and then transferred over to the owner for the specific magical reason or purposemagic rings can be endowed with any number of abilities like finding love and healing which are two of the most common uses of magical ringsemail me today and let me know the purpose for your magical ring and one will be made especially for youcom facebook-facebook-https:wwwcompapamusanalovespecialistit is believed that some rings become magical because they have been made magical through certain rituals or maybe even touched by a godsome magical rings are more magical than others because of the material or the stone in which the ring is made from(27782830887) magical rings have been used and recognized all throughout history for generations and generationseach one of these magical rings are made only for your individual reason or purposehere you will find a wide assortment of magical needs for which these magical rings will soon produce your desired affectcomprofmusa1 email-psyhicandherbalist@gmailwhat are the impotence of a magic ring? magic ring is an article of jewelry that appears to be able to draw on magical powers and pass those powers to the wearer
Argentina
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Npn epitaxial silicon transistor absolute maximum ratings ta=25°c unless otherwise noted electrical characteristics ta=25°c unless otherwise noted hfe classification symbol parameter value units vcbo collector-base voltage: bc546: bc: bc v v v vceo collector-emitter voltage: bc546: bc: bc v v v vebo emitter-base voltage: bc: bc v v ic collector current (dc) 100 ma pc collector power dissipation 500 mw tj junction temperature 150 °c tstg storage temperature - °c symbol parameter test condition min5 6 pf cib input capacitance veb=05ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (sat) base-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=0units icbo collector cut-off current vcb=30v, ie=0 15 na hfe dc current gain vce=5v, ic=2ma vce (sat) collector-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (on) base-emitter on voltage vce=5v, ic=2ma vce=5v, ic=10ma mv mv ft current gain bandwidth product vce=5v, ic=10ma, f=100mhz 300 mhz cob output capacitance vcb=10v, ie=0, f=1mhz 35v, ic=0, f=1mhz 9 pf nf noise figure: bc: bc: bc549: bc550 vce=5v, ic=200µa f=1khz, rg=2k¿ vce=5v, ic=200µa rg=2k¿, f=mhz db db db db classification a b c hfe
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• guaranteed performance at 150 mhz, 28 vdc output power = 45 watts power gain = 17 db (min) efficiency = 60% (min) • excellent thermal stability, ideally suited for class a operation • facilitates manual gain control, alc and modulation techniques • 100% tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 vswr • low crss – 8 pf @ vds = 28 v • gold top metal x3 unidadesvendo transitstores mrf171a rf mosfet n–channel enhancement–mode mosfet designed primarily for wideband large–signal output and driver stages from mhz
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Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mÃn) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx
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Vendo ransitstores mrf w, 28 v, 175 mhz n–channel broadband rf power mosfets http://wwwcom/datasheet-pdf/pdf//motorola/mrf173
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Manual "the transistor and diode data book for design engineers"excelente y muy completo manual "the transistor and diode data book for design engineers"impreso en limoges, franciaeuropean edition de texas instrumentsestado: muy poco uso, como nuevocomponents groupse entrega en el barrio de palermo o de villa santa rita (entre flores y villa del parque) en dÃa y horario a coordinarthe engineering staff of texas instrumenhtsrealizo envÃos a todo el paÃs a cargo del comprador
Villa Santa Rita (Capital Federal)
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transistor 20n60c3 para fuente de alimentacion ps4 nuevos producto transistor fuente de alimentación ps4 modelo 20n60c3 to-220nuevos! también aplica a artefactos que no sean ps4 envÃos a todo el paÃs se puede retirar personalmente por la zona de san andres partido de gral san martÃn consulte los dias para retirar en domicilio somos mercadolider uno de los mejores del sitio! realiza tu consulta
Argentina
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Manual "the transistor and diode data book for design engineers"components groupeuropean edition de texas instruments
San Cristóbal-Capital Federa (Capital Federal)
$ 200
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Full protection: ocp, ovp, scp y oppconector pci-e dedicados en +12v para exigentes placas de video fan cooler de 120mm600 watts de potencia continua 32 ampers en su linea de +12v cables completamente mesh en todos los rails
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Amplificador lineal entrada 2 w salida 25 w falta transistor consulte stock antes de ofertar adicciones pesos 100 por embalaje y servimoto su pregunta es bienvenida
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transistor 2n las 25 unidades 300 pesostambien tengo 2n y2nse pueden hacer envios, a cargo y costo del comprador
$ 300
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transistor de potencia uhf de la lÃnea mitsubishi - japan (nuevos)
$ 400
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transistor de potencia de la lÃnea toshiba, japonesa
$ 500
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Irf540n transistor mosfet n 30a 100v ohm to-220 original
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transistor mitsubishi 2sc caracteristicas: vcbo: 35 v po a 175 mhz 125v: 50 w ic: 14 a ganancia a 175 mhz: mayor o igual a 7 db 175 mhz
$ 1350
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Pack de 5 transistores to92 pnp 2n el 2n es un transistor pnp de alta tensión de mediana potenciacaracterÃsticas: corriente de colector: -06 a tensión colector-emisor: -150 v hfe 70 mÃnimo encapsulado t092
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2sc transistor (nuevo) los que estén interesados escribirme en forma directa a - gracias
$ 100
