Tj

Listado tj

• Excelente Jeep TJ 2dr Rubicon 4WD

  

  Jeep tj sport 2003aire acondicionadoluces antinieblajantes aluminium

  Federal (Entre Ríos)

• Wd6 Par Compl 2sasc A C

  

  ) 10 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín10 a voltaje de interrupción - colector-emisor (máx) a ib, ic 500 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (máx) a ib, ic 360 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (máx) a ic, vce 150 a 270 ma, 2 v potencia máxima 2 w frecuencia - transición 230 mhz temperatura de operación 150°c (tj) 2scsd tipo de transistor npn corriente de colector (ic) máxon semi usa 2sasd tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) máx) 50 v vce de saturación (máx) a ic, vce 200 a 270 ma, 2 v potencia máxima 25 w frecuencia - transición 330 mhz temperatura de operación 150°c (tj)

• 2sasc Npn Pnp Transistor To264 Usa Itytarg

  

  ) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máxpareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín

• Transitor Motorola 2N OFERTA 24 unidades

  

  Número de parte: 2n material: germanio polaridad de transistor: pnp especificaciones máximas disipación total del dispositivo (pc): 77 tensión colector-base (ucb): 40 tensión colector-emisor (uce): 25 tensión emisor-base (ueb): 20 corriente del colector dc máxima (ic): 15 temperatura operativa máxima (tj), °c: 110 características eléctricas producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 03 capacitancia de salida (cc), pf: ganancia de corriente contínua (hfe): 35 como todos los transistores,no tiene cambio, devolución ni garantía

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• TV BOX KELIX TJ F7

  

  Hermoso aparatito, transforma en smart tu tv, ya sea vieja o nueva, se adapta a cualquiera, excelente aparatito!!!!

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  Modulos igbt dobles marca eupec - oportunidad caracteristicas: collector-emitter voltage vce v collector-gate voltage rge = 20 k¿ vcgr gate-emitter voltage vge ± 20 dc collector current tc = 25 °c ic 78 a tc = 80 °c ic 50 a pulsed collector current, tp = 1 ms tc = 25 °c icpuls 100 a tc = 80 °c icpuls 156 a power dissipation per igbt tc = 25 °c ptot 400 w chip temperature tj + 150 °c storage temperature tstg - thermal resistance, chip case rthjc = 03 k/w diode thermal resistance, chip case rthjcd = 0vis vac dimensiones: altura: 306 insulation test voltage, t = 1min5 mm longitud: 94 mm ancho: 34 mm estilo de montaje: screw

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• VENDO LG K10 LIBRE - FINANCIO CON TJ CR/TD

  

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  Argentina

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  Pantalla con carcasas,llave,flex y boton de encendido de pacakard bell easynote tj pulgadas funcionando usada whatsaap al

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• Transistor Bc547 Npn Ptec

  

  Npn epitaxial silicon transistor absolute maximum ratings ta=25°c unless otherwise noted electrical characteristics ta=25°c unless otherwise noted hfe classification symbol parameter value units vcbo collector-base voltage: bc546: bc: bc v v v vceo collector-emitter voltage: bc546: bc: bc v v v vebo emitter-base voltage: bc: bc v v ic collector current (dc) 100 ma pc collector power dissipation 500 mw tj junction temperature 150 °c tstg storage temperature - °c symbol parameter test condition min5 6 pf cib input capacitance veb=0units icbo collector cut-off current vcb=30v, ie=0 15 na hfe dc current gain vce=5v, ic=2ma vce (sat) collector-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (on) base-emitter on voltage vce=5v, ic=2ma vce=5v, ic=10ma mv mv ft current gain bandwidth product vce=5v, ic=10ma, f=100mhz 300 mhz cob output capacitance vcb=10v, ie=0, f=1mhz 35ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (sat) base-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05v, ic=0, f=1mhz 9 pf nf noise figure: bc: bc: bc549: bc550 vce=5v, ic=200µa f=1khz, rg=2k¿ vce=5v, ic=200µa rg=2k¿, f=mhz db db db db classification a b c hfe

• Billetera hombre cuero NUEVA

  

  Traída de españa 100% cuero original se retira por flores trae para monedas tj documentos muy amplía

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• Transistor 2n Pnp 40v 250mhz 600mw Itytarg

  

  ) 100 na (icbo) ganancia de cc (hfe) (míndisponible a partir del tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) máx) 40 v vce de saturación (máx) a ic, vce 100 a 150 ma, 2 v potencia máxima 600 mw frecuencia - transición 200 mhz temperatura de operación -55 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje orificio pasante paquete / caja (carcasa) to-, to-92-3 (to-226aa) (conductores formados) paquete del dispositivo del proveedor to-92) a ib, ic 750 mv a 50 ma, 500 ma corriente de corte del colector (máxvoltaje de interrupción - colector-emisor (máx

• Play Station 3

  

  Excelente estado, acepto mercado pago $ en efectivo $ con tjvendo play station 3, con 2 joysticks y 6 juegos

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• Fgh 60n60 Fgh-60n60 Fgh60n60 Transistor Igbt N 600v 120a

  

  Especificaciones - temperatura máxima de conexiones: tj = 175oc - temperaura positivo coeficiente de fácil funcionamiento paralelo - alta capacidad de corriente - baja tensión de saturación: vce (sat) = 1): 120a - actual-colector pulsada (icm): 180a - vce (on) (máx9 v (típico) @ ic = 60a - alta impedancia de entrada - conmutación rápida - apretar parámetros de distribución - compatible con rohs especificaciones técnicas - familia: de transistores igbt-single - tipo igbt: diafragma de campo - voltaje colector-emisor (máx5 v @ 15 v, 60a - energía-máxima: 600 w - eonmutación de la energía: 1): 600 v - actual-colector (ic) (máx26mj (a), 450 y micro; j (off) - tipo de entrada: estándar - bloquee la carga: 189nc - td (on/off) @ 25 ° c: 18ns/104ns la compra incluye - 1 transistor fgh60n60 sku: fgh60n60los transistores igbt ofrecen tecnología de rendimiento optimo para ups, soldadores y aplicaciones pfc, donde evitar perdidas de conducción y conmutación son esenciales

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