Transistor e 13007

Listado transistor e 13007

• Transistor E

  

  20 de noviembre depublicado por damiangbaz en televisores y video, televisores en el palomar

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• Transistor E 13007

  

  Publicado por joserodriguez181 en televisores y video, televisores en el palomar11 de noviembre de 2018televisor 20 pulgadas jvc con soporte pared incluido

  Argentina

• 2sasc Npn Pnp Transistor To264 Usa Itytarg

  

  Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264

• Transistor Mosfet Irf540n 33a 100v Irf540 Ir Arduino Nubbeo

  

  transistor mosfet irf540n 100v - 33a descripcion mosfet de potencia canal n de international rectifier, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperación inversa dentro de su estructuracapaz de funcionar a altas frecuencias de conmutación y utilizado en una gran variedad de aplicacionesbaja resistencia térmicalas compras se retiran por villa luro de lunes a viernes de 11 a 17resistencia drain-source (rds on): 44 m¿caracteristicas: voltaje drain-source (vdss): 100 v corriente de drain (id): 33 a encapsulado: to-220hacemos factura a y b

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  transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de silicioestá diseñado para funcionar en 12,5 v uhf y tiene grandes aplicaciones como amplificador de señal de hasta 512 mhz= 4,4 db a 60 w / frec 470 mhz-; (3) sistema de metalización omnigold

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