Transistor mitsubishi 2sc caracteristicas
Listado transistor mitsubishi 2sc caracteristicas
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transistor mitsubishi 2sc caracteristicas: vcbo: 35 v po a 175 mhz 125v: 50 w ic: 14 a ganancia a 175 mhz: mayor o igual a 7 db 175 mhz
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Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín
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2sc transistor (nuevo) los que estén interesados escribirme en forma directa a - gracias
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Pack de 5 transistores to92 pnp 2n el 2n es un transistor pnp de alta tensión de mediana potenciacaracterísticas: corriente de colector: -06 a tensión colector-emisor: -150 v hfe 70 mínimo encapsulado t092
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transistor mosfet irf540n 100v - 33a descripcion mosfet de potencia canal n de international rectifier, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperación inversa dentro de su estructurabaja resistencia térmicaresistencia drain-source (rds on): 44 m¿caracteristicas: voltaje drain-source (vdss): 100 v corriente de drain (id): 33 a encapsulado: to-220capaz de funcionar a altas frecuencias de conmutación y utilizado en una gran variedad de aplicacioneslas compras se retiran por villa luro de lunes a viernes de 11 a 17hacemos factura a y b
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transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de silicio= 4,4 db a 60 w / frec 470 mhz-; (3) sistema de metalización omnigoldestá diseñado para funcionar en 12,5 v uhf y tiene grandes aplicaciones como amplificador de señal de hasta 512 mhz
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Manual "the transistor and diode data book for design engineers"excelente y muy completo manual "the transistor and diode data book for design engineers"components groupeuropean edition de texas instrumentsse entrega en el barrio de palermo o de villa santa rita (entre flores y villa del parque) en día y horario a coordinarestado: muy poco uso, como nuevoimpreso en limoges, franciathe engineering staff of texas instrumenhtsrealizo envíos a todo el país a cargo del comprador
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