Transistor mosfet n
Listado transistor mosfet n
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Irf540n transistor mosfet n 30a 100v ohm to-220 original
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transistor mosfet irf540n 100v - 33a descripcion mosfet de potencia canal n de international rectifier, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperación inversa dentro de su estructurabaja resistencia térmicacaracteristicas: voltaje drain-source (vdss): 100 v corriente de drain (id): 33 a encapsulado: to-220hacemos factura a y bcapaz de funcionar a altas frecuencias de conmutación y utilizado en una gran variedad de aplicacionesresistencia drain-source (rds on): 44 m¿las compras se retiran por villa luro de lunes a viernes de 11 a 17
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Vendo transitstores mrf171a rf mosfet n–channel enhancement–mode mosfet designed primarily for wideband large–signal output and driver stages from mhz• guaranteed performance at 150 mhz, 28 vdc output power = 45 watts power gain = 17 db (min) efficiency = 60% (min) • excellent thermal stability, ideally suited for class a operation • facilitates manual gain control, alc and modulation techniques • 100% tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 vswr • low crss – 8 pf @ vds = 28 v • gold top metal x3 unidades
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26mj (a), 450 y micro; j (off) - tipo de entrada: estándar - bloquee la carga: 189nc - td (on/off) @ 25 ° c: 18ns/104ns la compra incluye - 1 transistor fgh60n60 sku: fgh60n60): 120a - actual-colector pulsada (icm): 180a - vce (on) (máx5 v @ 15 v, 60a - energÃa-máxima: 600 w - eonmutación de la energÃa: 1): 600 v - actual-colector (ic) (máxlos transistores igbt ofrecen tecnologÃa de rendimiento optimo para ups, soldadores y aplicaciones pfc, donde evitar perdidas de conducción y conmutación son esenciales9 v (tÃpico) @ ic = 60a - alta impedancia de entrada - conmutación rápida - apretar parámetros de distribución - compatible con rohs especificaciones técnicas - familia: de transistores igbt-single - tipo igbt: diafragma de campo - voltaje colector-emisor (máxespecificaciones - temperatura máxima de conexiones: tj = 175oc - temperaura positivo coeficiente de fácil funcionamiento paralelo - alta capacidad de corriente - baja tensión de saturación: vce (sat) = 1
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Measuring bipolar transistor current amplification factor and base - emitter threshold voltagecan be detected to determine the transistor emitter forward bias voltage of the transistor, mosfet protection diode and the amplification factor of the base 5measure the gate threshold voltage and gate capacitance of the mosfet lcd display uses lcd ( lcd with backlight) 7if the bipolar transistor connected to the base and collector or emitter of a pin, it can measure the collector or emitter junction reverse capacitance01mh-20h new function: 1:automatic detection of npn and pnp transistors, n-channel and p-channel mosfet, diode (including double diode), thyristor, transistor, resistor and capacitor and other components 2: automatic test the pin of a component, and display on the lcd 3:can detect the transistor, mosfet protection diode amplification coefficient and the base to determine the emitter transistor forward biased voltage 4: measure the gate and gate capacitance of the mosfet threshold voltage 5:use liquid crystal display with green backlight specifications: for you reference 1lcr-t3 graphical multi-function tester resistor capacitor + + + scr + diode + transistor + mos tube inductance lcd lcd display, with backlight, backlight color is generally yellow-green4v lithium battery pack consisting of2uf more capacitors can simultaneously measure the equivalent series resistance esr valuesautomatic identification components pin arrangementautomatically detect npn, pnp bipolar transistors, n -channel and p -channel mos fet, jfet, diodes, two diodes, thyristors small power unidirectional and bidirectional thyristorhigh test speed, valid component test: 2 seconds (except in the larger capacitor of large capacitance measurement also takes a long time, the measured time of one minute is normal) 8the two can be displayed with a decimal value, resolution 0automatic detection of npn and pnp transistors, n -channel and p-channel mosfet, diodes (including dual diode), thyristors, transistors, resistors and capacitors and other components, 3resistance measurement resolution is 0add boot voltage detection function 29v battery powering stackedif prolonged power, you can use two 8can measure capacitancecan measure capacitance of 30pf-100mf, resolution 1pfautomatic test out the pin element and displayed on the lcd 4test ranges: inductors, capacitors, diodes, dual diode, mos, transistor, scr, the regulator, led tube, esr, resistance,adjustable potentiometer resistance:0one button operation, power-on test, get a keycan detect bipolar transistors and mos transistors protection diodesone -button operation, automatic shutdownresistance symbol on both sides shows the pin numberso you can measure the potentiometereeverse breakdown voltage is less than 4notice: before measuring capacitance, the capacitor must be discharged, otherwise very likely damage the metervia the base - emitter threshold voltage and high current amplification factor to identify darlington transistors1 ohm resolution, maximum 50m ohm capacitor:25pf - uf inductors: 0measuring the gate mos fet threshold voltage and the gate capacitancepower consumption off mode: less than 20 na of 10only 20na shutdown current5v zener diode can be identified1 ohms, 50m ohms can be measureddisplayed on the right with a decimal value of 4led is detected as a diode forward voltage highercan measure a single diode reverse capacitanceauto power off function to avoid unnecessary waste, saving battery power, improved battery life17 can be obtained with a single measurement rectifier bridge connectioncan be in the correct order and the diode symbol display two diodes, and gives the diode forward voltageif the potentiometer wiper is not transferred to an extreme position, we can distinguish the middle and both ends of the pincombo of the led is identified as two diodescan simultaneously measure two resistors and resistor symbol is displayed
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Power mosfet transistor data tmos motorola- dl135first edition -- - dl135
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Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mÃn
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transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de silicioestá diseñado para funcionar en 12,5 v uhf y tiene grandes aplicaciones como amplificador de señal de hasta 512 mhz= 4,4 db a 60 w / frec 470 mhz-; (3) sistema de metalización omnigold
$ 700
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transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de
Argentina
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Manual "the transistor and diode data book for design engineers"excelente y muy completo manual "the transistor and diode data book for design engineers"european edition de texas instrumentsimpreso en limoges, franciaestado: muy poco uso, como nuevothe engineering staff of texas instrumenhtscomponents grouprealizo envÃos a todo el paÃs a cargo del compradorse entrega en el barrio de palermo o de villa santa rita (entre flores y villa del parque) en dÃa y horario a coordinar
Villa Santa Rita (Capital Federal)
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transistor 20n60c3 para fuente de alimentacion ps4 nuevos producto transistor fuente de alimentación ps4 modelo 20n60c3 to-220nuevos! también aplica a artefactos que no sean ps4 envÃos a todo el paÃs se puede retirar personalmente por la zona de san andres partido de gral san martÃn consulte los dias para retirar en domicilio somos mercadolider uno de los mejores del sitio! realiza tu consulta
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San Cristóbal-Capital Federa (Capital Federal)
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Potencia holimar amf-200 transistores mosfet excelente estado clase
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Irfp460 ir por 5 unidades irfp460 ir mosfet transitor original
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Vendo ransitstores mrf w, 28 v, 175 mhz n–channel broadband rf power mosfets http://wwwcom/datasheet-pdf/pdf//motorola/mrf173
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Amplificador lineal entrada 2 w salida 25 w falta transistor consulte stock antes de ofertar adicciones pesos 100 por embalaje y servimoto su pregunta es bienvenida
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transistor 2n las 25 unidades 300 pesosse pueden hacer envios, a cargo y costo del compradortambien tengo 2n y2n
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transistor de potencia uhf de la lÃnea mitsubishi - japan (nuevos)
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transistor de potencia de la lÃnea toshiba, japonesa
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transistor mitsubishi 2sc caracteristicas: vcbo: 35 v po a 175 mhz 125v: 50 w ic: 14 a ganancia a 175 mhz: mayor o igual a 7 db 175 mhz
$ 1350
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Pack de 5 transistores to92 pnp 2n el 2n es un transistor pnp de alta tensión de mediana potencia6 a tensión colector-emisor: -150 v hfe 70 mÃnimo encapsulado t092caracterÃsticas: corriente de colector: -0
