Transistor mosfet n

Listado transistor mosfet n

  • Irf540n transistor mosfet n 30a 100v ohm to-220 original

  • transistor mosfet irf540n 100v - 33a descripcion mosfet de potencia canal n de international rectifier, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperación inversa dentro de su estructuraresistencia drain-source (rds on): 44 m¿hacemos factura a y blas compras se retiran por villa luro de lunes a viernes de 11 a 17caracteristicas: voltaje drain-source (vdss): 100 v corriente de drain (id): 33 a encapsulado: to-220capaz de funcionar a altas frecuencias de conmutación y utilizado en una gran variedad de aplicacionesbaja resistencia térmica

  • Irf mosfet n original 55v 110a to220 original

  • Vendo transitstores mrf171a rf mosfet n–channel enhancement–mode mosfet designed primarily for wideband large–signal output and driver stages from mhz• guaranteed performance at 150 mhz, 28 vdc output power = 45 watts power gain = 17 db (min) efficiency = 60% (min) • excellent thermal stability, ideally suited for class a operation • facilitates manual gain control, alc and modulation techniques • 100% tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 vswr • low crss – 8 pf @ vds = 28 v • gold top metal x3 unidades

  • 26mj (a), 450 y micro; j (off) - tipo de entrada: estándar - bloquee la carga: 189nc - td (on/off) @ 25 ° c: 18ns/104ns la compra incluye - 1 transistor fgh60n60 sku: fgh60n609 v (típico) @ ic = 60a - alta impedancia de entrada - conmutación rápida - apretar parámetros de distribución - compatible con rohs especificaciones técnicas - familia: de transistores igbt-single - tipo igbt: diafragma de campo - voltaje colector-emisor (máxlos transistores igbt ofrecen tecnología de rendimiento optimo para ups, soldadores y aplicaciones pfc, donde evitar perdidas de conducción y conmutación son esenciales): 600 v - actual-colector (ic) (máx): 120a - actual-colector pulsada (icm): 180a - vce (on) (máx5 v @ 15 v, 60a - energía-máxima: 600 w - eonmutación de la energía: 1especificaciones - temperatura máxima de conexiones: tj = 175oc - temperaura positivo coeficiente de fácil funcionamiento paralelo - alta capacidad de corriente - baja tensión de saturación: vce (sat) = 1

  • Measuring bipolar transistor current amplification factor and base - emitter threshold voltagecan be detected to determine the transistor emitter forward bias voltage of the transistor, mosfet protection diode and the amplification factor of the base 5measure the gate threshold voltage and gate capacitance of the mosfet lcd display uses lcd ( lcd with backlight) 7if the bipolar transistor connected to the base and collector or emitter of a pin, it can measure the collector or emitter junction reverse capacitance01mh-20h new function: 1:automatic detection of npn and pnp transistors, n-channel and p-channel mosfet, diode (including double diode), thyristor, transistor, resistor and capacitor and other components 2: automatic test the pin of a component, and display on the lcd 3:can detect the transistor, mosfet protection diode amplification coefficient and the base to determine the emitter transistor forward biased voltage 4: measure the gate and gate capacitance of the mosfet threshold voltage 5:use liquid crystal display with green backlight specifications: for you reference 1lcr-t3 graphical multi-function tester resistor capacitor + + + scr + diode + transistor + mos tube inductance lcd lcd display, with backlight, backlight color is generally yellow-greencombo of the led is identified as two diodes1 ohms, 50m ohms can be measuredcan measure capacitancecan measure capacitance of 30pf-100mf, resolution 1pf17 can be obtained with a single measurement rectifier bridge connectionautomatic test out the pin element and displayed on the lcd 4only 20na shutdown currentso you can measure the potentiometerone button operation, power-on test, get a keyadd boot voltage detection function 2can simultaneously measure two resistors and resistor symbol is displayedtest ranges: inductors, capacitors, diodes, dual diode, mos, transistor, scr, the regulator, led tube, esr, resistance,adjustable potentiometer resistance:02uf more capacitors can simultaneously measure the equivalent series resistance esr values9v battery powering stackedvia the base - emitter threshold voltage and high current amplification factor to identify darlington transistorsresistance symbol on both sides shows the pin number1 ohm resolution, maximum 50m ohm capacitor:25pf - uf inductors: 0automatic detection of npn and pnp transistors, n -channel and p-channel mosfet, diodes (including dual diode), thyristors, transistors, resistors and capacitors and other components, 3notice: before measuring capacitance, the capacitor must be discharged, otherwise very likely damage the meterdisplayed on the right with a decimal value of 4the two can be displayed with a decimal value, resolution 0can be in the correct order and the diode symbol display two diodes, and gives the diode forward voltagehigh test speed, valid component test: 2 seconds (except in the larger capacitor of large capacitance measurement also takes a long time, the measured time of one minute is normal) 8resistance measurement resolution is 05v zener diode can be identified4v lithium battery pack consisting ofpower consumption off mode: less than 20 na of 10one -button operation, automatic shutdownauto power off function to avoid unnecessary waste, saving battery power, improved battery lifecan measure a single diode reverse capacitanceautomatically detect npn, pnp bipolar transistors, n -channel and p -channel mos fet, jfet, diodes, two diodes, thyristors small power unidirectional and bidirectional thyristormeasuring the gate mos fet threshold voltage and the gate capacitanceled is detected as a diode forward voltage highereeverse breakdown voltage is less than 4if prolonged power, you can use two 8can detect bipolar transistors and mos transistors protection diodesif the potentiometer wiper is not transferred to an extreme position, we can distinguish the middle and both ends of the pinautomatic identification components pin arrangement

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  • Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264

  • transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de silicioestá diseñado para funcionar en 12,5 v uhf y tiene grandes aplicaciones como amplificador de señal de hasta 512 mhz= 4,4 db a 60 w / frec 470 mhz-; (3) sistema de metalización omnigold

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