Transistor mosfet n
Listado transistor mosfet n
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Irf540n transistor mosfet n 30a 100v ohm to-220 original
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transistor mosfet irf540n 100v - 33a descripcion mosfet de potencia canal n de international rectifier, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperación inversa dentro de su estructuracaracteristicas: voltaje drain-source (vdss): 100 v corriente de drain (id): 33 a encapsulado: to-220baja resistencia térmicaresistencia drain-source (rds on): 44 m¿las compras se retiran por villa luro de lunes a viernes de 11 a 17hacemos factura a y bcapaz de funcionar a altas frecuencias de conmutación y utilizado en una gran variedad de aplicaciones
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Vendo transitstores mrf171a rf mosfet n–channel enhancement–mode mosfet designed primarily for wideband large–signal output and driver stages from mhz• guaranteed performance at 150 mhz, 28 vdc output power = 45 watts power gain = 17 db (min) efficiency = 60% (min) • excellent thermal stability, ideally suited for class a operation • facilitates manual gain control, alc and modulation techniques • 100% tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 vswr • low crss – 8 pf @ vds = 28 v • gold top metal x3 unidades
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26mj (a), 450 y micro; j (off) - tipo de entrada: estándar - bloquee la carga: 189nc - td (on/off) @ 25 ° c: 18ns/104ns la compra incluye - 1 transistor fgh60n60 sku: fgh60n605 v @ 15 v, 60a - energÃa-máxima: 600 w - eonmutación de la energÃa: 1): 600 v - actual-colector (ic) (máx): 120a - actual-colector pulsada (icm): 180a - vce (on) (máx9 v (tÃpico) @ ic = 60a - alta impedancia de entrada - conmutación rápida - apretar parámetros de distribución - compatible con rohs especificaciones técnicas - familia: de transistores igbt-single - tipo igbt: diafragma de campo - voltaje colector-emisor (máxlos transistores igbt ofrecen tecnologÃa de rendimiento optimo para ups, soldadores y aplicaciones pfc, donde evitar perdidas de conducción y conmutación son esencialesespecificaciones - temperatura máxima de conexiones: tj = 175oc - temperaura positivo coeficiente de fácil funcionamiento paralelo - alta capacidad de corriente - baja tensión de saturación: vce (sat) = 1
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Measuring bipolar transistor current amplification factor and base - emitter threshold voltagecan be detected to determine the transistor emitter forward bias voltage of the transistor, mosfet protection diode and the amplification factor of the base 5measure the gate threshold voltage and gate capacitance of the mosfet lcd display uses lcd ( lcd with backlight) 7if the bipolar transistor connected to the base and collector or emitter of a pin, it can measure the collector or emitter junction reverse capacitance01mh-20h new function: 1:automatic detection of npn and pnp transistors, n-channel and p-channel mosfet, diode (including double diode), thyristor, transistor, resistor and capacitor and other components 2: automatic test the pin of a component, and display on the lcd 3:can detect the transistor, mosfet protection diode amplification coefficient and the base to determine the emitter transistor forward biased voltage 4: measure the gate and gate capacitance of the mosfet threshold voltage 5:use liquid crystal display with green backlight specifications: for you reference 1lcr-t3 graphical multi-function tester resistor capacitor + + + scr + diode + transistor + mos tube inductance lcd lcd display, with backlight, backlight color is generally yellow-green9v battery powering stackedhigh test speed, valid component test: 2 seconds (except in the larger capacitor of large capacitance measurement also takes a long time, the measured time of one minute is normal) 8can simultaneously measure two resistors and resistor symbol is displayedone -button operation, automatic shutdown2uf more capacitors can simultaneously measure the equivalent series resistance esr valuesvia the base - emitter threshold voltage and high current amplification factor to identify darlington transistorsautomatic identification components pin arrangement17 can be obtained with a single measurement rectifier bridge connectioncan measure capacitancecan measure capacitance of 30pf-100mf, resolution 1pfcan detect bipolar transistors and mos transistors protection diodesonly 20na shutdown currentif prolonged power, you can use two 8the two can be displayed with a decimal value, resolution 0auto power off function to avoid unnecessary waste, saving battery power, improved battery lifeadd boot voltage detection function 2measuring the gate mos fet threshold voltage and the gate capacitancedisplayed on the right with a decimal value of 4test ranges: inductors, capacitors, diodes, dual diode, mos, transistor, scr, the regulator, led tube, esr, resistance,adjustable potentiometer resistance:0power consumption off mode: less than 20 na of 10can measure a single diode reverse capacitanceled is detected as a diode forward voltage higherresistance measurement resolution is 0can be in the correct order and the diode symbol display two diodes, and gives the diode forward voltage5v zener diode can be identifiedeeverse breakdown voltage is less than 4automatic detection of npn and pnp transistors, n -channel and p-channel mosfet, diodes (including dual diode), thyristors, transistors, resistors and capacitors and other components, 3notice: before measuring capacitance, the capacitor must be discharged, otherwise very likely damage the meterautomatic test out the pin element and displayed on the lcd 4automatically detect npn, pnp bipolar transistors, n -channel and p -channel mos fet, jfet, diodes, two diodes, thyristors small power unidirectional and bidirectional thyristorif the potentiometer wiper is not transferred to an extreme position, we can distinguish the middle and both ends of the pin1 ohms, 50m ohms can be measuredso you can measure the potentiometer4v lithium battery pack consisting ofcombo of the led is identified as two diodes1 ohm resolution, maximum 50m ohm capacitor:25pf - uf inductors: 0resistance symbol on both sides shows the pin numberone button operation, power-on test, get a key
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Power mosfet transistor data tmos motorola- dl135first edition -- - dl135
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Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mÃn
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transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de silicioestá diseñado para funcionar en 12,5 v uhf y tiene grandes aplicaciones como amplificador de señal de hasta 512 mhz= 4,4 db a 60 w / frec 470 mhz-; (3) sistema de metalización omnigold
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transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de
Argentina
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Manual "the transistor and diode data book for design engineers"excelente y muy completo manual "the transistor and diode data book for design engineers"realizo envÃos a todo el paÃs a cargo del compradorestado: muy poco uso, como nuevothe engineering staff of texas instrumenhtseuropean edition de texas instrumentsimpreso en limoges, franciase entrega en el barrio de palermo o de villa santa rita (entre flores y villa del parque) en dÃa y horario a coordinarcomponents group
Villa Santa Rita (Capital Federal)
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Potencia holimar amf-200 transistores mosfet excelente estado clase
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Com/datasheet-pdf/pdf//motorola/mrf173vendo ransitstores mrf w, 28 v, 175 mhz n–channel broadband rf power mosfets http://www
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transistor de potencia uhf de la lÃnea mitsubishi - japan (nuevos)
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transistor mitsubishi 2sc caracteristicas: vcbo: 35 v po a 175 mhz 125v: 50 w ic: 14 a ganancia a 175 mhz: mayor o igual a 7 db 175 mhz
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Pack de 5 transistores to92 pnp 2n el 2n es un transistor pnp de alta tensión de mediana potenciacaracterÃsticas: corriente de colector: -06 a tensión colector-emisor: -150 v hfe 70 mÃnimo encapsulado t092
