Transistor npn 40 v
Listado transistor npn 40 v
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Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín
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) 40 v vce de saturación (máxdisponible a partir del tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) máx) a ic, vce 100 a 150 ma, 2 v potencia máxima 600 mw frecuencia - transición 200 mhz temperatura de operación -55 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje orificio pasante paquete / caja (carcasa) to-, to-92-3 (to-226aa) (conductores formados) paquete del dispositivo del proveedor to-92) 100 na (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín) a ib, ic 750 mv a 50 ma, 500 ma corriente de corte del colector (máxvoltaje de interrupción - colector-emisor (máx
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Opción en batea usada para no invertir tanto en tu negociobatea 2,40 usada vidrio curvo funcionando somos fabricantes
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npn epitaxial silicon transistor absolute maximum ratings ta=25°c unless otherwise noted electrical characteristics ta=25°c unless otherwise noted hfe classification symbol parameter value units vcbo collector-base voltage: bc546: bc: bc v v v vceo collector-emitter voltage: bc546: bc: bc v v v vebo emitter-base voltage: bc: bc v v ic collector current (dc) 100 ma pc collector power dissipation 500 mw tj junction temperature 150 °c tstg storage temperature - °c symbol parameter test condition min5 6 pf cib input capacitance veb=0units icbo collector cut-off current vcb=30v, ie=0 15 na hfe dc current gain vce=5v, ic=2ma vce (sat) collector-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (on) base-emitter on voltage vce=5v, ic=2ma vce=5v, ic=10ma mv mv ft current gain bandwidth product vce=5v, ic=10ma, f=100mhz 300 mhz cob output capacitance vcb=10v, ie=0, f=1mhz 35ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (sat) base-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05v, ic=0, f=1mhz 9 pf nf noise figure: bc: bc: bc549: bc550 vce=5v, ic=200µa f=1khz, rg=2k¿ vce=5v, ic=200µa rg=2k¿, f=mhz db db db db classification a b c hfe
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5 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de siliciotransistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 12está diseñado para funcionar en 12,5 v uhf y tiene grandes aplicaciones como amplificador de señal de hasta 512 mhz= 4,4 db a 60 w / frec 470 mhz-; (3) sistema de metalización omnigold
$ 700
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) 50 v vce de saturación (máx) a ic, vce 150 a 270 ma, 2 v potencia máxima 2 w frecuencia - transición 230 mhz temperatura de operación 150°c (tj) 2scsd tipo de transistor npn corriente de colector (ic) máxon semi usa 2sasd tipo de transistor pnp corriente de colector (ic) máx) a ic, vce 200 a 270 ma, 2 v potencia máxima 25 w frecuencia - transición 330 mhz temperatura de operación 150°c (tj)) 10 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mín10 a voltaje de interrupción - colector-emisor (máx) a ib, ic 500 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (máx) a ib, ic 360 mv a 300 ma, 6 a corriente de corte del colector (máx
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5 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia detransistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 12
Argentina
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2n original japones marca toshiba - no se quema como loa truchos 15 amperes 60 voltios npn - to3
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Buy69a to3 power transistor 10a 400v 100w silicon npn el precio es por unidad son nuevos de un antiguo stock son los de la foto consultar hago envios a todo el pais efvo el precio es el publicado gracias
Gualeguaychú (Entre Ríos)
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): 600 v - actual-colector (ic) (máx5 v @ 15 v, 60a - energía-máxima: 600 w - eonmutación de la energía: 126mj (a), 450 y micro; j (off) - tipo de entrada: estándar - bloquee la carga: 189nc - td (on/off) @ 25 ° c: 18ns/104ns la compra incluye - 1 transistor fgh60n60 sku: fgh60n609 v (típico) @ ic = 60a - alta impedancia de entrada - conmutación rápida - apretar parámetros de distribución - compatible con rohs especificaciones técnicas - familia: de transistores igbt-single - tipo igbt: diafragma de campo - voltaje colector-emisor (máx): 120a - actual-colector pulsada (icm): 180a - vce (on) (máxespecificaciones - temperatura máxima de conexiones: tj = 175oc - temperaura positivo coeficiente de fácil funcionamiento paralelo - alta capacidad de corriente - baja tensión de saturación: vce (sat) = 1los transistores igbt ofrecen tecnología de rendimiento optimo para ups, soldadores y aplicaciones pfc, donde evitar perdidas de conducción y conmutación son esenciales
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transistor de potencia para hf hasta 30 mhz(nuevos) http://www80w made in usacom/specs/300to399/pdf/nte335_6
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*** high tec electronica kit transistor de potencia 2scsa toshiba japan para técnico electrónica
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transistor mitsubishi 2sc caracteristicas: vcbo: 35 v po a 175 mhz 125v: 50 w ic: 14 a ganancia a 175 mhz: mayor o igual a 7 db 175 mhz
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6 a tensión colector-emisor: -150 v hfe 70 mínimo encapsulado t092pack de 5 transistores to92 pnp 2n el 2n es un transistor pnp de alta tensión de mediana potenciacaracterísticas: corriente de colector: -0
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Caracteristicas: voltaje drain-source (vdss): 100 v corriente de drain (id): 33 a encapsulado: to-220transistor mosfet irf540n 100v - 33a descripcion mosfet de potencia canal n de international rectifier, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperación inversa dentro de su estructurabaja resistencia térmicaresistencia drain-source (rds on): 44 m¿capaz de funcionar a altas frecuencias de conmutación y utilizado en una gran variedad de aplicacioneslas compras se retiran por villa luro de lunes a viernes de 11 a 17hacemos factura a y b
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Conexión: npn 400ma máx (normal abierto)está guardado hace tiempose usó una sola vez para una pruebasensor marca rhomberg modelo rcs tipo: capacitivo diámetro: 30mm alimentación: vdc (2mtssensado: 2 a 20mm (ajustable) cabezal: superficie
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Manual "the transistor and diode data book for design engineers"excelente y muy completo manual "the transistor and diode data book for design engineers"components groupeuropean edition de texas instrumentsse entrega en el barrio de palermo o de villa santa rita (entre flores y villa del parque) en día y horario a coordinarestado: muy poco uso, como nuevoimpreso en limoges, franciathe engineering staff of texas instrumenhtsrealizo envíos a todo el país a cargo del comprador
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Mar del Plata (Buenos Aires)
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v toilette revestido en cerámicos a estrenarv baño completo revestido en cerámicos a estrenarv luces y cortinas a estrenar en todos los ambientesv tercer dormitorio ( 2,80 x 2 ) al contrafrente luminosov dormitorio principal ( 3,10 x 3,10 ) a la callev segundo dormitorio ( 2,80 x 2,50 ) a la callev living comedor ( 8,50 x 3,50 ) a la callev balcón terraza ( 10 x 1,40 ) vista plena al marv cocina comedor ( 4,10 x 4 ) piso porcelanato a estrenarv superficie total : 96,58 m2- balcón- comedor- cocina- living comedor- living- toilette- calefv hall de distribución ( 2,20 x 1,40 )v sistema de calefacción por radiadores a estrenar en todos los ambientespor radiadores ref#497090amplio placard con baulerapiso porcelanato a estrenaramoblamiento de cocina a medida a estrenar: cocina escorial master full y extractor de aire a estrenar, caldera dual ariston nuevarevestida en cerámicos a estrenar
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$ 179000
