Transistor to92 npn
Listado transistor to92 npn
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Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mÃn) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx
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Pack de 5 transistores to92 pnp 2n el 2n es un transistor pnp de alta tensión de mediana potencia6 a tensión colector-emisor: -150 v hfe 70 mÃnimo encapsulado t092caracterÃsticas: corriente de colector: -0
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npn epitaxial silicon transistor absolute maximum ratings ta=25°c unless otherwise noted electrical characteristics ta=25°c unless otherwise noted hfe classification symbol parameter value units vcbo collector-base voltage: bc546: bc: bc v v v vceo collector-emitter voltage: bc546: bc: bc v v v vebo emitter-base voltage: bc: bc v v ic collector current (dc) 100 ma pc collector power dissipation 500 mw tj junction temperature 150 °c tstg storage temperature - °c symbol parameter test condition min5 6 pf cib input capacitance veb=05v, ic=0, f=1mhz 9 pf nf noise figure: bc: bc: bc549: bc550 vce=5v, ic=200µa f=1khz, rg=2k¿ vce=5v, ic=200µa rg=2k¿, f=mhz db db db db classification a b c hfe5ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (on) base-emitter on voltage vce=5v, ic=2ma vce=5v, ic=10ma mv mv ft current gain bandwidth product vce=5v, ic=10ma, f=100mhz 300 mhz cob output capacitance vcb=10v, ie=0, f=1mhz 3units icbo collector cut-off current vcb=30v, ie=0 15 na hfe dc current gain vce=5v, ic=2ma vce (sat) collector-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (sat) base-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=0
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5 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de siliciotransistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 12está diseñado para funcionar en 12,5 v uhf y tiene grandes aplicaciones como amplificador de señal de hasta 512 mhz= 4,4 db a 60 w / frec 470 mhz-; (3) sistema de metalización omnigold
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5 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia detransistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 12
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2n original japones marca toshiba - no se quema como loa truchos 15 amperes 60 voltios npn - to3
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Buy69a to3 power transistor 10a 400v 100w silicon npn el precio es por unidad son nuevos de un antiguo stock son los de la foto consultar hago envios a todo el pais efvo el precio es el publicado gracias
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transistor de potencia para hf hasta 30 mhzcom/specs/300to399/pdf/nte335_6(nuevos) http://www80w made in usa
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*** high tec electronica kit transistor de potencia 2scsa toshiba japan para técnico electrónica
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Conexión: npn 400ma máx (normal abierto)se usó una sola vez para una pruebaestá guardado hace tiemposensado: 2 a 20mm (ajustable) cabezal: superficiesensor marca rhomberg modelo rcs tipo: capacitivo diámetro: 30mm alimentación: vdc (2mts
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Manual "the transistor and diode data book for design engineers"excelente y muy completo manual "the transistor and diode data book for design engineers"components groupse entrega en el barrio de palermo o de villa santa rita (entre flores y villa del parque) en dÃa y horario a coordinarrealizo envÃos a todo el paÃs a cargo del compradorthe engineering staff of texas instrumenhtsimpreso en limoges, franciaeuropean edition de texas instrumentsestado: muy poco uso, como nuevo
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transistor de potencia uhf de la lÃnea mitsubishi - japan (nuevos)
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transistor de potencia de la lÃnea toshiba, japonesa
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Irf540n transistor mosfet n 30a 100v ohm to-220 original
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transistor mitsubishi 2sc caracteristicas: vcbo: 35 v po a 175 mhz 125v: 50 w ic: 14 a ganancia a 175 mhz: mayor o igual a 7 db 175 mhz
$ 1350
