Xt 512m ddr3

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  • Memoria ram kingston ddr3 de 4 gb 1600 mhzespecificaciones: marca: kingston modelo: kvr16n11s8/4 capacidad: 4 gb tipo: 512m x 64-bit ddr3-1600 sdram (synchronous dram) 1rx8 velocidad: 1600 mhz latencia: cl11 voltaje: 1,5 volts tecnologĂ­a dual channel requerimientos: motherboard con soporte para ddr3 1333mhz con 4 gb por slot presentaciĂłn: en blister garantĂ­a: 12 mesesÂżpor quĂ© elegir a kingston? con más de un cuarto de siglo de experiencia en memorias para servidores, kingston tiene el conocimiento y los recursos para satisfacer sus necesidadeslos que saben lo que quieren, prefieren valueramvalueram de kingston, la memoria estándar de la industria, ofrece galardonado rendimiento y la reconocida confiabilidad de kingston

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  • Caracteristicas este documento describe la memoria ddr3 de valueram de 1g x 64 bits (8gb) cl11 sdram (dram sĂ­ncrona) 2rx8, memoria, basado en 16 componentes fbga de 512m x 8 bits5v (v ~ v) • 800mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • pre-extracciĂłn de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (entrelazado sin lĂ­mite, secuencial con direcciĂłn de inicio5v (v ~ v) • vddq = 1las especificaciones elĂ©ctricas y mecánicas son como sigue: • fuente de alimentaciĂłn estándar jedec 1este dimm de 240 clavijas utiliza oro contacto con los dedoslos spd está programado para la latencia estándar jedec ddr tiempo del a 1

  • 5 v • tipo de embalaje dimm • memoria interna 4 gb • placa de plomo oro • configuraciĂłn de mĂłdulos 512m x 64 • tipo de memoria interna ddr3 • ancho de datos 64 bit • tipo de memoria pc- • clasificaciĂłn de memoria 1 • velocidad de memoria del reloj mhz • altura 30 mm • ancho 67,6 mm •organizaciĂłn de los chips x8 • nĂşmero de pines 240especificaciones tĂ©cnicas: • velocidad del reloj de bus mhz • factor de forma 240-pin dimm • componente para pc/server • latencia cas 11 • voltaje de memoria 1

  • Memoria kingston 8gb ddrmhz, 8gbyte, 2rx8 1gx72-bit, pc modelo: kvrd3e9s/8g description valueram's 1g x 72-bit (8gb) ddr cl9 sdram (synchronous dram), 2rx8, ecc memory modules, based on eighteen 512m x 8-bit fbga components per module9us at 85°c • asynchronous reset • pcb: height mm), double sided component::::::::: digital general service::::::::::::: somos mercadolĂ­der todo tipo de requerimiento informático san martĂ­n - gba envĂ­os a todos el paĂ­s correo argentino o transporte ===================================5v (v ~ v) • 667mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • thermal sensor grade b • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • average refresh period 7the spd's are programmed to jedec standard latency ddr timing of 9-9-9 at 15v (v ~v) power supply • vddq = 1the electrical and mechanical specifications are as follows: features • jedec standard 18us at lower than tcase 85°c, 3each 240-pin dimm uses gold contact fingers

  • A page 1 description this document describes valueram’s m x 72-bit 8gb (mb) ddrmhz cl9 sdram (synchronous dram) registered w/parity, dual-rank memory module, based on thirtysix 512m x 4-bit ddrmhz fbga components5v ± v power supply • vddq = 19us at 85°c • asynchronous reset • pcb: height mm), double sided component specifications cl(idd) 9 cycles row cycle time (trcmin) 49kvrd3d4r9s/8g 8gb m x 72-bit pc cl9 registered w/parity 240-pin dimm kingstonthe spd is programmed to jedec standard latency mhz timing of 9-9-9 at 1) command time (trfcmin) row active time (trasmin) 36ns (minthe electrical and mechanical specifications are as follows: features • jedec standard 18us at lower than tcase 85°c, 35v ± v • 667mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • programmable cas write latency(cwl) = 7(ddr-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • on-dimm thermal sensor (grade b) • average refresh period 7) power w (operating) ul rating 94 v - 0 operating temperature 0° c to 85° c storage temperature -55° c to +100° c continued >>this 240-pin dimm uses gold contact fingers and requires +1) refresh to active/refresh 160ns (min

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