Power mosfet transistor
Listado power mosfet transistor
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power mosfet transistor data tmos motorola- dl135first edition -- - dl135
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Vendo transitstores mrf171a rf mosfet n–channel enhancement–mode mosfet designed primarily for wideband large–signal output and driver stages from mhz• guaranteed performance at 150 mhz, 28 vdc output power = 45 watts power gain = 17 db (min) efficiency = 60% (min) • excellent thermal stability, ideally suited for class a operation • facilitates manual gain control, alc and modulation techniques • 100% tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 vswr • low crss – 8 pf @ vds = 28 v • gold top metal x3 unidades
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transistor mosfet irf540n 100v - 33a descripcion mosfet de potencia canal n de international rectifier, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperación inversa dentro de su estructuraresistencia drain-source (rds on): 44 m¿hacemos factura a y blas compras se retiran por villa luro de lunes a viernes de 11 a 17caracteristicas: voltaje drain-source (vdss): 100 v corriente de drain (id): 33 a encapsulado: to-220capaz de funcionar a altas frecuencias de conmutación y utilizado en una gran variedad de aplicacionesbaja resistencia térmica
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Irf540n transistor mosfet n 30a 100v ohm to-220 original
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transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de silicioestá diseñado para funcionar en 12,5 v uhf y tiene grandes aplicaciones como amplificador de señal de hasta 512 mhz= 4,4 db a 60 w / frec 470 mhz-; (3) sistema de metalización omnigold
$ 700
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transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de
Argentina
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Npn epitaxial silicon transistor absolute maximum ratings ta=25°c unless otherwise noted electrical characteristics ta=25°c unless otherwise noted hfe classification symbol parameter value units vcbo collector-base voltage: bc546: bc: bc v v v vceo collector-emitter voltage: bc546: bc: bc v v v vebo emitter-base voltage: bc: bc v v ic collector current (dc) 100 ma pc collector power dissipation 500 mw tj junction temperature 150 °c tstg storage temperature - °c symbol parameter test condition min5ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (sat) base-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05v, ic=0, f=1mhz 9 pf nf noise figure: bc: bc: bc549: bc550 vce=5v, ic=200µa f=1khz, rg=2k¿ vce=5v, ic=200µa rg=2k¿, f=mhz db db db db classification a b c hfe5ma ic=100ma, ib=5ma mv mv vbe (on) base-emitter on voltage vce=5v, ic=2ma vce=5v, ic=10ma mv mv ft current gain bandwidth product vce=5v, ic=10ma, f=100mhz 300 mhz cob output capacitance vcb=10v, ie=0, f=1mhz 3units icbo collector cut-off current vcb=30v, ie=0 15 na hfe dc current gain vce=5v, ic=2ma vce (sat) collector-emitter saturation voltage ic=10ma, ib=05 6 pf cib input capacitance veb=0
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Buy69a to3 power transistor 10a 400v 100w silicon npn el precio es por unidad son nuevos de un antiguo stock son los de la foto consultar hago envios a todo el pais efvo el precio es el publicado gracias
Gualeguaychú (Entre RÃos)
$ 298
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Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mÃn) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264
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Potencia boschmann 600 watt 2/1 channel power mosfet amplifier (americana) en perfecto estado
$ 900
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Vendo ransitstores mrf w, 28 v, 175 mhz n–channel broadband rf power mosfets http://wwwcom/datasheet-pdf/pdf//motorola/mrf173
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Manual "the transistor and diode data book for design engineers"excelente y muy completo manual "the transistor and diode data book for design engineers"se entrega en el barrio de palermo o de villa santa rita (entre flores y villa del parque) en dÃa y horario a coordinarestado: muy poco uso, como nuevorealizo envÃos a todo el paÃs a cargo del compradorimpreso en limoges, franciacomponents groupthe engineering staff of texas instrumenhtseuropean edition de texas instruments
Villa Santa Rita (Capital Federal)
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transistor 20n60c3 para fuente de alimentacion ps4 nuevos producto transistor fuente de alimentación ps4 modelo 20n60c3 to-220nuevos! también aplica a artefactos que no sean ps4 envÃos a todo el paÃs se puede retirar personalmente por la zona de san andres partido de gral san martÃn consulte los dias para retirar en domicilio somos mercadolider uno de los mejores del sitio! realiza tu consulta
Argentina
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Manual "the transistor and diode data book for design engineers"european edition de texas instrumentscomponents group
San Cristóbal-Capital Federa (Capital Federal)
$ 200
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Potencia holimar amf-200 transistores mosfet excelente estado clase
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Irfp460 ir por 5 unidades irfp460 ir mosfet transitor original
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Par de transistores mosfet 2sksj50,nuevos cada uno en su caja entiestatica /antiparasitaria,ideal para proyectos de amplificadores de audio o para reemplazo de transistores de salida deterioradosefectivo unicamenteel precio es por par
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Amplificador lineal entrada 2 w salida 25 w falta transistor consulte stock antes de ofertar adicciones pesos 100 por embalaje y servimoto su pregunta es bienvenida
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transistor 2n las 25 unidades 300 pesostambien tengo 2n y2nse pueden hacer envios, a cargo y costo del comprador
$ 300
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transistor de potencia uhf de la lÃnea mitsubishi - japan (nuevos)
$ 400
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transistor de potencia de la lÃnea toshiba, japonesa
$ 500
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transistor mitsubishi 2sc caracteristicas: vcbo: 35 v po a 175 mhz 125v: 50 w ic: 14 a ganancia a 175 mhz: mayor o igual a 7 db 175 mhz
$ 1350
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Pack de 5 transistores to92 pnp 2n el 2n es un transistor pnp de alta tensión de mediana potenciacaracterÃsticas: corriente de colector: -06 a tensión colector-emisor: -150 v hfe 70 mÃnimo encapsulado t092
