Transistor mosfet
Listado transistor mosfet
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transistor mosfet irf540n 100v - 33a descripcion mosfet de potencia canal n de international rectifier, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperación inversa dentro de su estructurabaja resistencia térmicaresistencia drain-source (rds on): 44 m¿caracteristicas: voltaje drain-source (vdss): 100 v corriente de drain (id): 33 a encapsulado: to-220capaz de funcionar a altas frecuencias de conmutación y utilizado en una gran variedad de aplicacioneslas compras se retiran por villa luro de lunes a viernes de 11 a 17hacemos factura a y b
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Irf540n transistor mosfet n 30a 100v ohm to-220 original
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Measuring bipolar transistor current amplification factor and base - emitter threshold voltagecan be detected to determine the transistor emitter forward bias voltage of the transistor, mosfet protection diode and the amplification factor of the base 5measure the gate threshold voltage and gate capacitance of the mosfet lcd display uses lcd ( lcd with backlight) 7if the bipolar transistor connected to the base and collector or emitter of a pin, it can measure the collector or emitter junction reverse capacitance01mh-20h new function: 1:automatic detection of npn and pnp transistors, n-channel and p-channel mosfet, diode (including double diode), thyristor, transistor, resistor and capacitor and other components 2: automatic test the pin of a component, and display on the lcd 3:can detect the transistor, mosfet protection diode amplification coefficient and the base to determine the emitter transistor forward biased voltage 4: measure the gate and gate capacitance of the mosfet threshold voltage 5:use liquid crystal display with green backlight specifications: for you reference 1lcr-t3 graphical multi-function tester resistor capacitor + + + scr + diode + transistor + mos tube inductance lcd lcd display, with backlight, backlight color is generally yellow-greenled is detected as a diode forward voltage higherauto power off function to avoid unnecessary waste, saving battery power, improved battery lifepower consumption off mode: less than 20 na of 1017 can be obtained with a single measurement rectifier bridge connection1 ohms, 50m ohms can be measuredadd boot voltage detection function 2can measure capacitancecan measure capacitance of 30pf-100mf, resolution 1pfone -button operation, automatic shutdown1 ohm resolution, maximum 50m ohm capacitor:25pf - uf inductors: 0automatic identification components pin arrangement5v zener diode can be identifiedresistance measurement resolution is 0can detect bipolar transistors and mos transistors protection diodesthe two can be displayed with a decimal value, resolution 0combo of the led is identified as two diodeseeverse breakdown voltage is less than 4can measure a single diode reverse capacitancenotice: before measuring capacitance, the capacitor must be discharged, otherwise very likely damage the meterif the potentiometer wiper is not transferred to an extreme position, we can distinguish the middle and both ends of the pin2uf more capacitors can simultaneously measure the equivalent series resistance esr valuesmeasuring the gate mos fet threshold voltage and the gate capacitancecan simultaneously measure two resistors and resistor symbol is displayedcan be in the correct order and the diode symbol display two diodes, and gives the diode forward voltageif prolonged power, you can use two 8so you can measure the potentiometerdisplayed on the right with a decimal value of 4resistance symbol on both sides shows the pin numberonly 20na shutdown currentvia the base - emitter threshold voltage and high current amplification factor to identify darlington transistorsautomatic test out the pin element and displayed on the lcd 49v battery powering stackedhigh test speed, valid component test: 2 seconds (except in the larger capacitor of large capacitance measurement also takes a long time, the measured time of one minute is normal) 8test ranges: inductors, capacitors, diodes, dual diode, mos, transistor, scr, the regulator, led tube, esr, resistance,adjustable potentiometer resistance:0automatic detection of npn and pnp transistors, n -channel and p-channel mosfet, diodes (including dual diode), thyristors, transistors, resistors and capacitors and other components, 3one button operation, power-on test, get a key4v lithium battery pack consisting ofautomatically detect npn, pnp bipolar transistors, n -channel and p -channel mos fet, jfet, diodes, two diodes, thyristors small power unidirectional and bidirectional thyristor
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Power mosfet transistor data tmos motorola- dl135first edition -- - dl135
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Vendo transitstores mrf171a rf mosfet n–channel enhancement–mode mosfet designed primarily for wideband large–signal output and driver stages from mhz• guaranteed performance at 150 mhz, 28 vdc output power = 45 watts power gain = 17 db (min) efficiency = 60% (min) • excellent thermal stability, ideally suited for class a operation • facilitates manual gain control, alc and modulation techniques • 100% tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 vswr • low crss – 8 pf @ vds = 28 v • gold top metal x3 unidades
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Pareja de transistores 2sa pnp + 2sc npn - to-264 transistor 2sc npn fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: npn current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ic, vce: 80 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264 transistor 2sa pnp fabricante: fairchild/on semiconductor tipo de transistor: pnp current - collector (ic) (max): 17a voltage - collector emitter breakdown (max): 250v vce de saturación (máx) a ib, ic: 3 v a 800 ma, 8 a corriente de corte del colector (máx) a ic, vce: 55 a 1 a, 5 v potencia máxima: 150 w frecuencia - transición: 30 mhz temperatura de operación: -50 °c ~ 150 °c (tj) tipo de montaje: orificio pasante paquete / caja (carcasa): to-, to-264aa paquete del dispositivo del proveedor: to-264): 5 µa (icbo) ganancia de cc (hfe) (mÃn
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transistor mrf646-motorola rf power transistor, uhf, 45 watts, 125 v el mrf646 es un transistor rf npn de potencia de silicio= 4,4 db a 60 w / frec 470 mhz-; (3) sistema de metalización omnigoldestá diseñado para funcionar en 12,5 v uhf y tiene grandes aplicaciones como amplificador de señal de hasta 512 mhz
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Manual "the transistor and diode data book for design engineers"excelente y muy completo manual "the transistor and diode data book for design engineers"components groupeuropean edition de texas instrumentsse entrega en el barrio de palermo o de villa santa rita (entre flores y villa del parque) en dÃa y horario a coordinarestado: muy poco uso, como nuevoimpreso en limoges, franciathe engineering staff of texas instrumenhtsrealizo envÃos a todo el paÃs a cargo del comprador
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Potencia holimar amf-200 transistores mosfet excelente estado clase
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Irfp460 ir por 5 unidades irfp460 ir mosfet transitor original
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Par de transistores mosfet 2sksj50,nuevos cada uno en su caja entiestatica /antiparasitaria,ideal para proyectos de amplificadores de audio o para reemplazo de transistores de salida deterioradosefectivo unicamenteel precio es por par
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Amplificador lineal entrada 2 w salida 25 w falta transistor consulte stock antes de ofertar adicciones pesos 100 por embalaje y servimoto su pregunta es bienvenida
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transistor 2n las 25 unidades 300 pesosse pueden hacer envios, a cargo y costo del compradortambien tengo 2n y2n
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transistor de potencia uhf de la lÃnea mitsubishi - japan (nuevos)
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transistor de potencia de la lÃnea toshiba, japonesa
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transistor mitsubishi 2sc caracteristicas: vcbo: 35 v po a 175 mhz 125v: 50 w ic: 14 a ganancia a 175 mhz: mayor o igual a 7 db 175 mhz
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Pack de 5 transistores to92 pnp 2n el 2n es un transistor pnp de alta tensión de mediana potenciacaracterÃsticas: corriente de colector: -06 a tensión colector-emisor: -150 v hfe 70 mÃnimo encapsulado t092
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2sc transistor (nuevo) los que estén interesados escribirme en forma directa a - gracias
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Radio hitachi transistor 8 modelo wh-859d, hecha en japón en la década del 50, este modelo cuenta con tres bandas de frecuencias, sintonia fina, salida para auricular cuenta con antena y funciona con 3 pilas grandes, se encuentra en buen estado
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